Name: IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH65N120L2KHV-ND
Price: 2201.1 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 9mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +20V、-5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2160 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 375W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 65A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 52ミリオーム @ 20A、18V

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単価（消費税込み）:	¥2,201.10000

IXSH65N120L2KHV