Name: IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA65N120L2-7TR-ND
Price: 2154.9 JPY
Availability: OutOfStock

新製品

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IXSA65N120L2-7TR
DigiKey製品番号	238-IXSA65N120L2-7TR-ND - テープ＆リール（TR） 238-IXSA65N120L2-7TRCT-ND - カットテープ（CT） 238-IXSA65N120L2-7TRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXSA65N120L2-7TR
商品概要	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 65A（Tc） 417W（Tc）面実装 TO-263-7
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 9mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 18 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） +20V、-5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2160 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 417W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 65A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 53ミリオーム @ 20A、18V

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ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

単価（消費税抜き）:	¥1,959.00000
単価（消費税込み）:	¥2,154.90000

IXSA65N120L2-7TR