IXFX30N110P IXYS | シングルFET、MOSFET

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単価 : ¥1,406.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 6.5V @ 1mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 235 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, Polar	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13600 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 960W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1100 V	サプライヤデバイスパッケージ PLUS247™-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3可変
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFX30
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 360ミリオーム @ 15A、10V

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IXFX30N110P