Name: IXFK100N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFK100N65X2-ND
Price: 4325.2 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.5V @ 4mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 180 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, Ultra X2	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 11300 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1040W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-264
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	パッケージ/ケース TO-264-3、TO-264AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFK100
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 50A、10V