Name: IXFJ20N85X
Brand: IXYS
SKU: IXFJ20N85X-ND
Price: 1798.00134 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.5V @ 2.5mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 63 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, Ultra X	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1660 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 110W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 850 V	サプライヤデバイスパッケージ ISO TO-247-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9.5A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFJ20
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 360ミリオーム @ 10A、10V

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品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STW21N90K5	STMicroelectronics	0	497-12873-5-ND	¥1,461.00000	類似

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数量	単価	請求価格
300	¥1,634.54667	¥490,364

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単価（消費税抜き）:	¥1,634.54667
単価（消費税込み）:	¥1,798.00134

IXFJ20N85X