Name: IXFB82N60P
Brand: IXYS
SKU: IXFB82N60P-ND
Price: 6708.9 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 8mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 240 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, Polar	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 23000 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1250W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 82A（Tc）	パッケージ/ケース TO-264-3、TO-264AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFB82
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 75ミリオーム @ 41A、10V

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代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
APT60M75L2LLG	Microchip Technology	13	APT60M75L2LLG-ND	¥8,416.00000	類似
FCH104N60F-F085	onsemi	411	FCH104N60F-F085OS-ND	¥1,243.00000	類似

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単価（消費税込み）:	¥6,708.90000

IXFB82N60P