
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。



GE12160CEA3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 4014-GE12160CEA3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | GE12160CEA3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 1.425kA(Tc) 3.75kW シャーシマウント モジュール |
データシート | データシート |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | GE Aerospace | |
シリーズ | ||
梱包形態 | バルク | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 1.425kA(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.5ミリオーム @ 475A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.5V @ 480mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 3744nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 90000pF @ 600V | |
電力 - 最大 | 3.75kW | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | モジュール | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,345,983.00000 | ¥1,345,983 |
| 単価(消費税抜き): | ¥1,345,983.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥1,480,581.30000 |

