EPC2108 EPC | FET、MOSFETアレイ

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 190ミリオーム @ 2.5A、 5V、 3.3オーム @ 2.5A、 5V
メーカー EPC	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
シリーズ eGaN®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 0.22nC @ 5V、 0.044nC @ 5V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 22pF @ 30V、 7pF @ 30V
部品状況生産中止品	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	取り付けタイプ面実装
構成 3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）	パッケージ/ケース 9-VFBGA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60V、100V	サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA（1.35x1.35）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 1.7A、500mA	ベース品番 EPC210