
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
型 | 商品概要 | 選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
パッケージ | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
Product Status | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | GaNFET(窒化ガリウム) | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | ||
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 25ミリオーム @ 12A、5V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 3mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 5.3 nC @ 5 V | |
Vgs(最大) | +6V、-4V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 540 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | - | |
動作温度 | -40°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | ||
サプライヤデバイスパッケージ | ダイ | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
リソースタイプ | リンク |
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データシート | EPC2010C |
メーカーアプリケーションノート | Assembling eGaN® FETs |
プロダクトレーニングモジュール | eGaN® FET Reliability |
ビデオファイル | Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video |
環境規制対応 | EPC RoHS & Halogen Cert |
ハイライト製品 | |
リファレンス設計ライブラリ | EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge |
PCNアセンブリ/原産地 | Assembly Site 25/Jun/2021 |
PDCフォト(内部のみ) | EPC2010 Top View |
HTMLデータシート | EPC2010C |
Forum Discussions | What do GaN FETS look like and how do they work? |
属性 | 商品概要 |
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RoHSステータス | ROHS3対応 |
湿度感度レベル(MSL) | 1(無制限) |
REACHステータス | REACHの影響なし |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0040 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥902.00000 | ¥902 |
10 | ¥809.50000 | ¥8,095 |
100 | ¥663.20000 | ¥66,320 |
500 | ¥564.57000 | ¥282,285 |
1,000 | ¥476.14400 | ¥476,144 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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2,500 | ¥495.41640 | ¥1,238,541 |
属性 | 商品概要 |
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その他の製品名/品番 | 917-1085-1 917-1085-2 917-1085-6 |
標準パッケージ | 2,500 |