Name: DIF170SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIF170SIC049-ND
Price: 4504.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 15mA
メーカー Diotec Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 179 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +18V、-4V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3046 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 357W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1700 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 67A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 49ミリオーム @ 40A、18V

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単価（消費税抜き）:	¥4,095.00000
単価（消費税込み）:	¥4,504.50000

DIF170SIC049