to263ab-2
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DI200N10D2

DigiKey製品番号
4878-DI200N10D2-ND
メーカー
メーカー製品番号
DI200N10D2
商品概要
MOSFET D2PAK N 100V 200A
メーカーの標準リードタイム
8 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 100 V 200A(Tc) 340W(Tc) 面実装 TO-263AB(D2PAK)
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
DI200N10D2 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
2.3mOhm @ 120A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
262 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
16800 pF @ 50 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
340W(Tc)
動作温度
-55°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263AB(D2PAK)
パッケージ/ケース
製品に関する質問と回答

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在庫:802個
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バルク
数量 単価 請求価格
1¥561.00000¥561
10¥366.20000¥3,662
100¥255.38000¥25,538
800¥197.41000¥157,928
1,600¥183.88438¥294,215
2,400¥181.03708¥434,489
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥561.00000
単価(消費税込み):¥617.10000