
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
DI200N10D2 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 4878-DI200N10D2-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | DI200N10D2 |
商品概要 | MOSFET D2PAK N 100V 200A |
メーカーの標準リードタイム | 8 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 100 V 200A(Tc) 340W(Tc) 面実装 TO-263AB(D2PAK) |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | DI200N10D2 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | バルク | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 100 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 2.3mOhm @ 120A, 10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 262 nC @ 10 V | |
Vgs(最大) | ±20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 16800 pF @ 50 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 340W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB(D2PAK) | |
パッケージ/ケース |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥561.00000 | ¥561 |
| 10 | ¥366.20000 | ¥3,662 |
| 100 | ¥255.38000 | ¥25,538 |
| 800 | ¥197.41000 | ¥157,928 |
| 1,600 | ¥183.88438 | ¥294,215 |
| 2,400 | ¥181.03708 | ¥434,489 |
| 単価(消費税抜き): | ¥561.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥617.10000 |
