Name: DI002N10PWK
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI002N10PWK-ND
Price: 100.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 250ミリオーム @ 2A、10V
メーカー Diotec Semiconductor	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
梱包形態バルク	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 8.4 nC @ 10 V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 454 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 6-QFN（2x2）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 6-PowerUDFN

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単価（消費税抜き）:	¥91.00000
単価（消費税込み）:	¥100.10000

DI002N10PWK