Name: DMWSH120H43SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H43SM4Q-ND
Price: 2598.27334 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 114 nC @ 15 V
メーカー Diodes Incorporated	Vgs（最大） +19V、-8V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2204 pF @ 1000 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 320W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 70.5A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 43ミリオーム @ 40A、15V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.6V @ 11.5mA

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DMWSH120H43SM4Q