Name: DMWSH120H28SCT7Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND
Price: 4433.924 JPY
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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単価 : ¥3,271.77875

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 184 nC @ 15 V
メーカー Diodes Incorporated	Vgs（最大） +19V、-8V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3864 pF @ 1000 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 312W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 85.5A（Tj）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 28.5ミリオーム @ 50A、15V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.6V @ 17.7mA

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMWSH120H28SCT7Q-13	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H28SCT7Q-13TR-ND	¥3,271.77875	パラメータ等価

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数量	単価	請求価格
50	¥4,030.84000	¥201,542

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単価（消費税抜き）:	¥4,030.84000
単価（消費税込み）:	¥4,433.92400

DMWSH120H28SCT7Q