Name: DMWSH120H23SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H23SM3-ND
Price: 5504.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.6V @ 17.7mA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 217 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3962 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 349W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 23ミリオーム @ 50A、18V

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DMWSH120H23SM3