Name: DMWSH120H18HM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H18HM3-ND
Price: 5720 JPY
Availability: InStock

新製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 37mA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 158 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4206 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 313W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 108A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 75A、18V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：24個

メーカー在庫 600

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥5,200.00000
単価（消費税込み）:	¥5,720.00000

DMWSH120H18HM3