Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 201.3 JPY
Availability: InStock

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DMTH43M8LFGQ-13
DigiKey製品番号	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMTH43M8LFGQ-13
商品概要	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 24A（Ta）、100A（Tc） 2.62W（Ta）、65.2W（Tc）面実装 POWERDI3333-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	DMTH43M8LFGQ-13 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	24A（Ta）、100A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	40.1 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2798 pF @ 20 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.62W（Ta）、65.2W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	POWERDI3333-8
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	DMTH43