Name: DMT6004SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6004SCTDI-5-ND
Price: 532.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 95.4 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4556 pF @ 30 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.3W（Ta）、113W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.65ミリオーム @ 100A、 10V	ベース品番 DMT6004

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FDP030N06	onsemi	664	FDP030N06-ND	¥911.00000	類似
FDP032N08	onsemi	632	488-FDP032N08-ND	¥1,079.00000	類似
IRFB7537PBF	Infineon Technologies	493	IRFB7537PBF-ND	¥445.00000	類似
IXTP260N055T2	IXYS	52	IXTP260N055T2-ND	¥1,487.00000	類似

在庫：33個

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単価（消費税抜き）:	¥484.00000
単価（消費税込み）:	¥532.40000

DMT6004SCT