Name: DMT10H009LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LPS-13TR-ND
Price: 259.6 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DMT10H009LPS-13
DigiKey製品番号	31-DMT10H009LPS-13TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMT10H009LPS-13CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMT10H009LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMT10H009LPS-13
商品概要	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 10A（Ta）、90A（Tc） 1.3W（Ta）面実装 PowerDI5060-8
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	10A（Ta）、90A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	40.2 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2309 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.3W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerDI5060-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	DMT10