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パラメータ等価

DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
在庫あり: 0
単価 : ¥419.00000
データシート

類似

FDP75N08A
onsemi
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート

類似

IPP80N06S209AKSA1
Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート

類似

IRF1010NPBF
Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥242.52100
データシート

類似

IRF3205PBF
Infineon Technologies
在庫あり: 8,099
単価 : ¥334.00000
データシート

類似

IRF60B217
Rochester Electronics, LLC
在庫あり: 645
単価 : ¥171.32714
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類似

IXTP90N055T2
IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥557.00000
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類似

STP76NF75
STMicroelectronics
在庫あり: 968
単価 : ¥456.00000
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類似

STP80NF55-08AG
STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート
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TO-220-3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DMNH6008SCT

DigiKey製品番号
DMNH6008SCT-ND
メーカー
Diodes Incorporated
メーカー製品番号
DMNH6008SCT
商品概要
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
メーカーの標準リードタイム
28 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 60 V 130A（Tc） 210W（Tc） スルーホール TO-220-3
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Diodes Incorporated
シリーズ
-
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
130A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
8ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
21 nC @ 10 V
Vgs（最大）
20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
2596 pF @ 30 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
210W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
自動車
認定
AEC-Q101
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
ベース品番
DMNH6008
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数量
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チューブ
数量 単価 請求価格
50¥210.92000¥10,546
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥210.92000
単価（消費税込み）:¥232.01200