Name: DMNH10H028SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH10H028SCTDI-5-ND
Price: 407 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 31.9 nC @ 10 V
メーカー Diodes Incorporated	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1942 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.8W（Ta）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 28ミリオーム @ 20A、10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA	ベース品番 DMNH10

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単価（消費税込み）:	¥407.00000

DMNH10H028SCT