Name: DMN60H080DS-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H080DS-7DITR-ND
Price: 71.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DMN60H080DS-7
DigiKey製品番号	DMN60H080DS-7DITR-ND - テープ＆リール（TR） DMN60H080DS-7DICT-ND - カットテープ（CT） DMN60H080DS-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMN60H080DS-7
商品概要	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 80mA（Ta） 1.1W（Ta）面実装 SOT-23-3
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	80mA（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	100オーム @ 60mA、 10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	1.7 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	25 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.1W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3
パッケージ/ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番	DMN60