Name: DMN2009LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009LSS-13TR-ND
Price: 218.9 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DMN2009LSS-13
DigiKey製品番号	31-DMN2009LSS-13TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMN2009LSS-13CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMN2009LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMN2009LSS-13
商品概要	MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
メーカーの標準リードタイム	40 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 20 V 12A（Ta） 2W（Ta）面実装 8-SO
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.2V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 58.3 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±12V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2555 pF @ 10 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、10V	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8ミリオーム @ 12A、10V	ベース品番 DMN2009