Name: DMN10H170SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3-13DITR-ND
Price: 192.5 JPY
Availability: InStock

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DMN10H170SK3-13
DigiKey製品番号	DMN10H170SK3-13DITR-ND - テープ＆リール（TR） DMN10H170SK3-13DICT-ND - カットテープ（CT） DMN10H170SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMN10H170SK3-13
商品概要	MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	40 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 12A（Tc） 42W（Tc）面実装 TO-252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	DMN10H170SK3-13 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9.7 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1167 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 42W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 140ミリオーム @ 5A、10V	ベース品番 DMN10