AOT12N60FDL は生産中止品です。現在は生産されていません。
購入可能な代替品:

類似


Rochester Electronics, LLC
在庫あり: 1,954
単価 : ¥269.06250
データシート

類似


onsemi
在庫あり: 571
単価 : ¥618.00000
データシート

類似


Rochester Electronics, LLC
在庫あり: 543
単価 : ¥170.93525
データシート

類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 4,673
単価 : ¥638.00000
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥381.04667
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥365.79667
データシート

類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥155.70100
データシート

類似


Vishay Siliconix
在庫あり: 1,068
単価 : ¥502.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥334.00000
データシート

類似


Toshiba Semiconductor and Storage
在庫あり: 90
単価 : ¥1,143.00000
データシート
Nチャンネル 600 V 12A(Tc) 278W(Tc) スルーホール TO-220
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

AOT12N60FDL

DigiKey製品番号
785-AOT12N60FDL-ND
メーカー
メーカー製品番号
AOT12N60FDL
商品概要
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 12A(Tc) 278W(Tc) スルーホール TO-220
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
チューブ
部品状況
生産中止品
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
650ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
50 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2010 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
278W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
ベース品番
製品に関する質問と回答

エンジニアによる質問をチェックしたり、質問の投稿や知識を共有したりして、DigiKeyのエンジニアリングコミュニティを活用してみましょう

生産中止品
この製品はもう製造されていません。 代替品を表示します。