EPC2007 EPC | シングルFET、MOSFET

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単価 : ¥548.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 6A、5V
メーカー EPC	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1.2mA
シリーズ eGaN®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 2.8 nC @ 5 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） +6V、-5V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 205 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～125°C（TJ）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージダイ
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Ta）	パッケージ/ケースダイ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V	ベース品番 EPC20

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