PチャンネルMOSFET
VishayのPチャンネルMOSFETは単位面積あたりの最小のオン抵抗により最小のPCBを実現
Vishay SiliconixのPチャンネルTrenchFET® GEN IIIおよびIV MOSFETは、PチャンネルMOSFET向けに単位面積あたりの最小のオン抵抗を実現しており、この値は、業界の以前の最小値の半分です。
- 単位面積あたりの最小のオン抵抗により最小のPCBが実現する
- 少ない電圧降下により効率とバッテリ駆動時間が増大する
- デュアルデバイスにより通常のバッテリチャージャの設計で部品数を減らせる可能性がある
Vishay PチャンネルTrenchFET GEN IIIおよびIV MOSFETには、さまざまなパッケージサイズとオン抵抗定格が用意されており、幅広いアプリケーションに対応します。さらに、最小のオン抵抗により伝導損失が低下するため、電力を節約して、充電ごとのバッテリ使用時間を増大させることができます。
リソース: PチャンネルMOSFETの概要
- PチャンネルMOSFET向けに単位面積あたりの最小のオン抵抗(業界の以前の最小値の半分)を実現
- SO-8フットプリントエリアで2mΩ未満を実現
- 伝導損失の低下によりバッテリ駆動システムで電力を節約
- PowerPAK® SO-8から1.6mm x 1.6mm PowerPAK SC-75および0.8mm x 0.8mmチップスケールMICRO FOOT®に至るまでのさまざまなパッケージサイズ
- 電池駆動機器
- ノートブック/タブレット
- ゲーム機
- 民生用電子機器
- ウェアラブル
P-Channel MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SI7111EDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8 | 11995 - 即時 | $233.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | SI8823EDB-T2-E1 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT | 38778 - 即時 | $115.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | SIA469DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 20587 - 即時 | $118.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | SI4435FDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC | 100033 - 即時 | $130.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | SI3473DDV-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | 13382 - 即時 | $125.00 | 詳細を表示 |






