PチャンネルMOSFET

VishayのPチャンネルMOSFETは単位面積あたりの最小のオン抵抗により最小のPCBを実現

Vishay SiliconixのPチャンネルMOSFETの画像 Vishay SiliconixのPチャンネルTrenchFET® GEN IIIおよびIV MOSFETは、PチャンネルMOSFET向けに単位面積あたりの最小のオン抵抗を実現しており、この値は、業界の以前の最小値の半分です。

  • 単位面積あたりの最小のオン抵抗により最小のPCBが実現する
  • 少ない電圧降下により効率とバッテリ駆動時間が増大する
  • デュアルデバイスにより通常のバッテリチャージャの設計で部品数を減らせる可能性がある

Vishay PチャンネルTrenchFET GEN IIIおよびIV MOSFETには、さまざまなパッケージサイズとオン抵抗定格が用意されており、幅広いアプリケーションに対応します。さらに、最小のオン抵抗により伝導損失が低下するため、電力を節約して、充電ごとのバッテリ使用時間を増大させることができます。

リソース: PチャンネルMOSFETの概要

特長
  • PチャンネルMOSFET向けに単位面積あたりの最小のオン抵抗(業界の以前の最小値の半分)を実現
  • SO-8フットプリントエリアで2mΩ未満を実現
  • 伝導損失の低下によりバッテリ駆動システムで電力を節約
  • PowerPAK® SO-8から1.6mm x 1.6mm PowerPAK SC-75および0.8mm x 0.8mmチップスケールMICRO FOOT®に至るまでのさまざまなパッケージサイズ
用途
  • 電池駆動機器
  • ノートブック/タブレット
  • ゲーム機
  • 民生用電子機器
  • ウェアラブル

P-Channel MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
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刊行: 2018-04-24