TP65H SuperGaN™ 650V 35mΩおよび240mΩ FET

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            TP65H SuperGaN™ 650V 35mΩおよび240mΩ FET
  
                    TransphormのJEDEC認定Gen IV FETは、TO-247およびPQFNパッケージで提供

TransphormのTP65H SuperGaN™650V 35mΩおよび240mΩFETの画像 Transphormの650V SuperGaN™Gen IV FETには、2つの堅牢なJEDEC認定デバイスが含まれています。TP65H035G4WSは、TO-247パッケージで35mΩの標準オン抵抗を提供します。TP65H300G4LSGは、PQFN88パッケージで240mΩの標準オン抵抗を提供します。SuperGaN FETを使用した電力システムは、ブリッジレストーテムポール力率補正（PFC）と併用すると、99%を超える効率に到達できます。利点としては、最大10%の性能指数の改善、突入電流機能の強化、また、高い動作電流でのスイッチングノードスナバを考慮した設計の容易性は不要になったことなどが挙げられます。

TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs

	画像	メーカー品番	商品概要	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	入手可能な数量	価格	詳細を表示
		TP65H035G4WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	46.5A（Tc）	41ミリオーム @ 30A、10V	4.8V @ 1mA	617 - 即時	$3,050.00	詳細を表示
		TP65H300G4LSG-TR	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN	6.5A（Tc）	312ミリオーム @ 5A、8V	2.6V @ 500µA	0 - 即時	See Page for Pricing	詳細を表示