ディスクリートソリッドステートドライブ（SSD）ソリューション

Toshibaは、電源入力を制御するためのロードスイッチとMOSFETの幅広いラインナップ、および異常な入力電源状態と過電圧サージ状態を処理するように設計された保護ICとダイオードを用意しています。SSDテクノロジが向上するにつれて、ますます厳しくなる電力需要に対応する電源回路と、重要なデータを障害から保護する機能が必要になります。

Toshibaは、電源入力を制御するための幅広い負荷スイッチとMOSFETのほか、異常な入力電源条件とホットプラグ中の過電圧サージを処理するように設計された保護ICとダイオードを用意しています。

Toshibaの幅広い製品ラインアップは、最新のTVSダイオード、ショットキーバリアダイオード（SBD）、LDO、ロードスイッチIC、および強力なeFuse ICによってこれらの要件を満たしています。

電源保護回路ソリューション

外部静電気放電（ESD）、異常な電源入力、およびホットスワップ中の過電圧サージは、高い確率でシステムに問題を引き起こします。これらの損傷から貴重なデータとPMICを保護するには、eFuse IC、ESD保護ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオードの組み合わせが非常に効果的です。

ToshibaのeFuse ICは、超高速短絡保護、過電流、過電圧、突入電流抑制などのさまざまな保護機能を1つのパッケージに実装しています。さらに、IEC62368-1（G.9）を取得しているため、以前よりもシンプルで強力な保護回路を提供します。

高IPP ESD保護ダイオードまたはツェナーダイオードを使用して、数ns～msのESDサージおよび過渡電圧に対抗することも可能です。加えて、SBDと組み合わせることで、負電圧に対する対策として機能し、逆電流を防止する、より堅牢な保護回路を作成できます。

配電スイッチソリューション

電圧変換用のパワースイッチとLDOの選択は、低電圧/高電流の電力制御にとって特に重要です。

場合によっては、低電圧ラインは、多くの一般的な負荷スイッチの最小電圧要件を満たさないこともあります。TCK207ANロードスイッチICは、低電圧電源スイッチの場合、わずか0.75Vで動作します。また、21mΩの低オン抵抗を備え、最大2.0Aを出力できます。オン抵抗の低いToshibaの小型MOSFETは、さまざまなパッケージや構成で利用されています。

電源レールだけでは不十分な場合は、LDOレギュレータを使用してください。たとえば、TCR3Uシリーズの低消費電力LDOは、0.8V～5.0Vの広い出力電圧と低消費電流を備え、静止電流を低減して過渡応答を改善するさまざまな組み込み機能を備えています。

さらに、TCR15AGシリーズの高電流LDOは、デュアル電源技術を採用しており、超低ドロップアウト電圧により0.6V～3.6Vの広い出力電圧で最大1.5Aを出力できます。LDOレギュレータの最大の特長は、最小限のドロップアウトで非常に正確な電圧レールを提供し、このちょっとした性質のおかげでほぼすべての設計に適合する点です。

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