TPSM63610同期整流式降圧DC/DCパワーモジュール

Texas InstrumentsのTPSM63610は、パワーMOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品をEnhanced HotRod™ QFNパッケージに実装した高集積36V、8A DC/DCソリューションです。このモジュールは、V_INおよびV_OUTピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。モジュールの下面に4つの大きめのサーマルパッドを配置することで、シンプルなレイアウトを実現し、製造時の取り扱いを容易にしました。TPSM63610は、1V～20Vの出力電圧範囲を備え、小さなPCBフットプリントで低EMIの設計を迅速かつ容易に実装できるように設計されています。

このトータルソリューションを使用すると、外付け部品はわずか4個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要になります。TPSM63610モジュールは、スペース制約のあるアプリケーション向けに小型でシンプルな設計となっていますが、調整可能な入力電圧UVLO用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗によりプログラム可能なスイッチノードのスルーレート、EMI改善のためのスペクトラム拡散機能およびスペクトラム拡散オプションなど、堅牢な性能を実現するための多くの機能を備えています。また、V_CC、ブートストラップ、入力コンデンサを内蔵しているため、信頼性と密度が向上します。

このモジュールは、全負荷電流範囲（FPWM）にわたって一定のスイッチング周波数に設定することも、可変周波数（PFM）に設定して軽負荷時の効率を高めることもできます。TPSM63610は、シーケンシング、フォルト保護、出力電圧監視用のPGOODインジケータも内蔵しています。