LMG3522R030窒化ガリウムFET

Texas InstrumentsのLMG3522R030窒化ガリウムFETは、スイッチモード電力変換器をターゲットにしたドライバと保護機能を内蔵し、設計者が電力密度と効率レベルを達成することを可能にします。このパワーICはシリコンドライバを内蔵し、最大150V/nsのスイッチング速度を実現しています。TIの統合高精度ゲートバイアスにより、ディスクリートシリコンゲートドライバと比較してスイッチングSOAが高くなります。TIの低インダクタンスパッケージとの組み合わせによる統合が、ハードスイッチング電源トポロジにおけるクリーンなスイッチングと最小限のリンギングを実現します。

ゲート駆動強度の調整により、スルーレートの制御（20V/ns～150V/ns）が可能であり、EMIの抑制やスイッチング性能の最適化を積極的に行うことができます。高度な電源管理機能には、デジタル温度レポートと障害検出が含まれます。窒化ガリウムFETの温度は、可変デューティサイクルのPWM出力で報告され、デバイスの負荷管理を簡素化します。報告されている故障としては、過温度、過電流、低電圧ロックアウト（UVLO）監視などが挙げられます。