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リニアおよびロジックソリューション
Texas Instrumentsは、レジスタ、バッファ、スイッチ、ドライバ、ゲート、コンパレータ、フリップフロップ、および電圧変換を含む完全で幅広い製品ラインナップを提供します。 TIのリニアおよびロジックソリューションは、アプリケーションの柔軟性、より高性能そして設計長寿命を提供します。リトルロジックロジックリニア ESD/ EMI アナログスイッチロードスイッチ I²C トランスレータリトルロジック Texas Instruments（TI）のリトルロジックデバイスは、設計上の難題を解決し、今日の市場で成功を収めるのに寄与する製品です。より小型で、市場投入までの時間を短縮幅広い種類から、ワンストップで選択可能すべての製品が常時入手可能優れた製品、顧客主導型 SN74AUP1G06DRYR オープンドレイン出力付き低電力シングル反転バッファ/ドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 1pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 3.6ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G07DRYR オープンドレイン出力付き低電力シングルバッファ/ドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 1pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 3.3ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G80DRYR 低電力シングルポジティブエッジトリガDタイプフリップフロップこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 4.3pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポートシュミットトリガアクションは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（Vhys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 4.4ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G00DSFR 低電力シングル2入力ポジティブNANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 4pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズオーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 4.8ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G02DSFR 低電力シングル2入力ポジティブNORゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 4.3pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 4.6ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G07DSFR オープンドレイン出力付き低電力シングルバッファ/ドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 1pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_i = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 3.3ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G32 低電力シングル2入力ポジティブORゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費（I_CC = 0.9µA最大）低動的電力消費（C_pd = 4.3pF標準 @ 3.3V）低い入力容量（C_I = 1.5pF標準）低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 4.6ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G74 低電力シングルポジティブエッジトリガDタイプフリップフロップこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費：I_CC = 0.9µA最大低動的電力消費：C_pd = 5.5pF標準 @ 3.3V 低い入力容量：C_i = 1.5pF標準低ノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートはV_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポートシュミットトリガアクションは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 5ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1G79 低電力シングルポジティブエッジトリガDタイプフリップフロップこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能低静的電力消費： I_CC = 0.9µA最大低動的電力消費： C_pd = 3pF標準 @ 3.3V 低い入力容量： C_i = 1.5pF標準低ノイズ：オーバーシュートおよびアンダーシュートは V_CCの<10% I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート入力ヒステリシスは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現（V_hys = 250mV標準 @ 3.3V） 0.8V～3.6Vの広い動作V_CC範囲 3.3V動作向けに最適化 3.6V耐圧のI/Oで、混合モード信号動作をサポート t_pd = 4ns最大 @ 3.3V ポイントツーポイントアプリケーションに好適 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G04 シングルインバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 3.3ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、ライブインサーション、部分的なパワーダウンモード、およびバックドライブ保護をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G07 オープンドレイン出力付きシングルバッファ/ドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas Instrumentsの NanoFreeパッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力およびオープンドレイン出力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.2ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる 100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G08 シングル2入力ポジティブANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 3.6ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G14 シングルシュミットトリガインバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStarおよびNanoFreeパッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.6ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、ライブインサーション、部分的なパワーダウンモード、およびバックドライブ保護をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G17 シングルシュミットトリガバッファこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFreeパッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.6ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、ライブインサーション、部分的なパワーダウンモード、およびバックドライブ保護をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G32 シングル2入力ポジティブORゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™およびNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 3.6ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_C _C：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G123 シュミットトリガ入力付きシングル再トリガ可能単安定マルチバイブレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 8ns最大 @ 3.3V すべてのポートで混合モード電圧動作をサポート AおよびB入力でのシュミットトリガ回路により、低速入力遷移レートを実現アクティブハイまたはアクティブローゲートロジック入力からトリガされるエッジ非常に長い出力パルス向けに再トリガ可能、最大100%のデューティサイクルクリアのオーバーライドは、出力パルスを終了出力でのグリッチフリーパワーアップリセット I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G125 3ステート出力付きシングルバスバッファゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 3.7ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC1G332 シングル3入力ポジティブORゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™およびNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.5ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる 100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC2G08 デュアル2入力ポジティブANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 5V V_CC動作をサポート入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.7ns最大 @ 3.3V 低消費電力、I_CC：最大10µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ標準V_OLP（出力グランドバウンス） <0.8V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C 標準V_OHV（出力 V_OH アンダーシュート）>2V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 1000V充電デバイスモデル（C101）ロジック Texas Instruments（TI）は、ロジックの世界的リーダー企業として、成熟したバイポーラおよびバイポーラ相補型金属酸化膜半導体（BiCMOS）ファミリから、最新の先進的なCMOSファミリに及ぶ、ロジック機能と技術の全領域を提供します。 TIは、従来のロジック製品のサポートを維持しながら、今日の電子市場で必要とされるロジック性能および機能を備えたプロセス技術を提供します。 TIが提供する製品には、次のプロセス技術またはデバイスファミリが含まれます。 AC、ACT、AHC、AHCT、ALVC、AUC、AUP、AVC、FCT、HC、HCT、LV-A、LV-AT、LVC、TVC ABT、ABTE、ALB、ALVT、BCT、HSTL、LVT BTA、CB3Q、CB3T、CBT、CBT-C、CBTLV、FB、FIFO、GTL、GTLP、JTAG、I²C、VME ALS、AS、F、LS、S、TTL SN74LVC00ARGYR クワッド2入力ポジティブNANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 1.65V～3.6Vで動作 -40°C～85°C、-40°C～125°C、および-55°C～125°Cで仕様規定入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.3ns最大 @ 3.3V 標準V_OLP（出力グランドバウンス） <0.8V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C 標準V_OHV（出力 V_OH アンダーシュート） >2V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C JESD17あたり２５０ｍAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC06ARGYR オープンドレイン出力付きヘキサ反転バッファ/ドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 1.65V～3.6Vで動作 -40°C～85°C、-40°C～125°C、および-55°C～125°Cで仕様規定入力およびオープンドレイン出力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 3.7ns最大 @ 3.3V I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD17あたり２５０ｍAを超えるラッチアップ性能 SN74LVC08ARGYR クワッド2入力ポジティブANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 1.65V～3.6Vで動作 -40°C～85°C、-40°C～125°C、および-55°C～125°Cで仕様規定入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 4.1ns最大 @ 3.3V 標準V_OLP（出力グランドバウンス） <0.8V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C 標準V_OHV（出力 V_OH アンダーシュート） >2V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C JESD17あたり２５０ｍAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） TS3L110 クワッドSPDT高帯域幅10/100 Base-T LANスイッチ差動8チャンネル～4チャンネルマルチプレクサ/デマルチプレクサこちらをクリックして、詳細をご覧ください。広い帯域幅（BW = 500MHz標準）低クロストーク（X_TALK = -30dB標準）双方向データフロー、ほぼゼロの伝播遅延低/フラットオン状態抵抗（r_on = 4Ω）データI/Oポートでのスイッチング（0～5V） 3V～3.6VのV_CC動作範囲 I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポートアンダーシュートクランプダイオードを備えた、データおよび制御入力 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） 10 Base-T/100 Base-Tの両方のシグナリングに好適 CD4011B CMOSクワッド2入力NANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。伝播遅延時間 = 60ns（標準） @ C_L = 50pF、V_DD = 10V バッファ入力および出力標準化対称出力特性全パッケージ温度範囲にわたって18Vで1µAの最大入力電流、18Vおよび25°Cで100nA 静止電流について、20Vで100%テスト済み 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格（全パッケージ温度範囲にわたる）ノイズマージン： 1V @ V_DD = 5V 2V @ V_DD = 10V 2.5V @ V_DD = 15V JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合 CD4013B CMOSデュアルDタイプフリップフロップこちらをクリックして、詳細をご覧ください。セット/リセット機能スタティックフリップフロップ動作 — 「ハイ」または「ロー」のクロックレベルでステートを無期限に保持中速動作 — 10Vで16MHz（標準）のクロックトグルレート標準化対称出力特性静止電流について、20Vで100%テスト済み全パッケージ温度範囲にわたって18Vで1µAの最大入力電流、18Vおよび25°Cで100nA （全パッケージ温度範囲の）ノイズマージン = 1V @ V_DD = 5V 2V @ V_DD = 10V 2.5V @ V_DD = 15V 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格 JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合アプリケーション：レジスタ、カウンタ、制御回路 CD4017B CMOS10進カウンタ、復号化した10の出力付きこちらをクリックして、詳細をご覧ください。完全スタティック動作中速動作…10MHz（標準） @ V_DD = 10V 標準化対称出力特性静止電流について、20Vで100%テスト済み 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格 JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合アプリケーション： 10進カウンタ/10進復号化ディスプレイ（CD4017B） 2進カウンタ/デコーダ周波数分割カウンタ制御/タイマ Nによる除算カウンティングさらなるアプリケーション情報については、ICAN-6166「COS/MOS MSIカウンタおよびレジスタ設計とアプリケーション」を参照 CD4049UB CMOSヘキサ反転バッファ/コンバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 CD4049UB反転 CD4050B非反転高シンク電流で2つのTTL負荷を駆動ハイ～ローレベルのロジック変換静止電流について、20Vで100%テスト済み全パッケージ温度範囲にわたって18Vで1µAの最大入力電流、18Vおよび25°Cで100nA 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格アプリケーション CMOS～DTL/TTLヘキサコンバータ CMOS電流「シンク」または「ソース」ドライバ CMOSハイ～ローロジックレベルコンバータ CD4051B CMOSシングル8チャンネルアナログマルチプレクサ/デマルチプレクサ、ロジックレベル変換付きこちらをクリックして、詳細をご覧ください。広範なデジタルおよびアナログ信号レベルデジタル：3V～20V アナログ：≤20V_P-P 低オン抵抗：V_DD–V_EE = 18Vで15V_P-Pの信号入力範囲にわたって125Ω（標準）高オフ抵抗、V_DD–V_EE = 18Vで±100pA（標準）のチャンネルリーク電流 20V_P-P（V_DD–V_EE = 20V）にアナログ信号を切り替えるための、3V～20V（V_DD–V_SS = 3V～20V）のデジタルアドレス指定信号向けのロジックレベル変換整合されたスイッチ特性：r_ON = V_DD–V_EE = 15Vで5Ω（標準）全デジタル制御入力および電源状態下で非常に低い静止消費電力：0.2µW（標準） @ V_DD–V_SS = V_DD–V_EE = 10V チップ上のバイナリアドレスデコーディング 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格静止電流について、20Vで100%テスト済み全パッケージ温度範囲にわたって18Vで1µAの最大入力電流、18Vおよび25°Cで100nA ブレークビフォアメイクスイッチングは、チャンネル重複を排除アプリケーションアナログおよびデジタルマルチプレクシングおよびデマルチプレクシング A/DおよびD/A変換信号ゲーティング CD4060B CMOS14段リップルキャリーバイナリカウンタ/除算器および発振器こちらをクリックして、詳細をご覧ください。 15Vで12MHzのクロックレート共通リセット完全スタティック動作バッファ入力および出力シュミットトリガ入力パルスライン静止電流について、20Vで100%テスト済み標準化対称出力特性 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格 JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合発振器の特長：チップ上のすべてのアクティブコンポーネント RCまたは水晶発振器構成 15Vで最小690kHzのRC発振器周波数アプリケーション制御カウンタタイマ周波数分割器時間遅延回路 CD4066B CMOSクワッド双方向スイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 15Vデジタルまたは±7.5Vピーク－ピークスイッチング 15V動作で125Ω標準のオン状態抵抗 15Vの信号入力範囲にわたって5Ω内に整合された、スイッチオン状態抵抗全ピーク－ピーク信号範囲にわたる、フラットオン状態抵抗高オン/オフ出力電圧比：80dB標準 @ f_is = 10kHz、R_L = 1kΩ 高程度の直線性：<0.5%歪み標準 @ f_is = 1kHz、V_is = 5V p-p、V_DD–V_SS Ω 極めて低いオフ状態スイッチリーク電流の結果生じる、非常に低いオフセット電流および実効性の高いオフ状態抵抗：10pA標準 @ V_DD–V_SS = 10V、T_A = 25°C 極めて高い制御入力インピーダンス（信号回路から絶縁された制御回路）：10¹² Ω標準スイッチ間の低クロストーク：-50dB標準 @ f_is = 8MHz、R_L = 1kΩ 整合された制御入力～信号出力静電容量：出力信号過渡を低減周波数応答、スイッチオン = 40MHz（標準）静止電流について、20Vで100%テスト済み 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格 JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合アプリケーション：アナログ信号スイッチング/マルチプレクシング：信号ゲーティング、変調器、スケルチ制御、復調器、チョッパー、整流スイッチデジタル信号スイッチング/マルチプレクシング送信ゲートロジック実装 A/DおよびD/A変換周波数、インピーダンス、位相、およびアナログ信号ゲインのデジタル制御 CD4093B CMOSクワッド2入力NANDシュミットトリガこちらをクリックして、詳細をご覧ください。外付け部品なしで、各入力でのシュミットトリガアクションヒステリシス電圧（標準）：0.9V @ V_DD = 5Vおよび2.3V @ V_DD = 10V 50%より大きいノイズ耐性入力立ち上がりおよび立ち下がり時間で制限なし標準化対称出力特性静止電流について、20Vで100%テスト済み全パッケージ温度範囲にわたって18Vで1µAの最大入力電流、18Vおよび25°Cで100nA 5V、10V、および15Vのパラメトリック定格 JEDEC暫定標準No. 13B「『B』シリーズ CMOSデバイス説明の標準仕様」のすべての要件に適合アプリケーション：波形およびパルス整形器高ノイズ環境システムモノステーブルマルチバイブレータ非安定マルチバイブレータ NANDロジック CD74HC154 高速CMOSロジック4～16ラインデコーダ/デマルチプレクサこちらをクリックして、詳細をご覧ください。デマルチプレクシングおよびカスケーディング機能を容易にするための、2つのイネーブル入力（全温度範囲にわたる）ファンアウト：標準出力 . . . . . . 10のLSTTL負荷バスドライバ出力 . . . 15のLSTTL負荷広い動作温度範囲 . . . –55°C～125°C バランスのとれた伝播遅延および遷移時間 LSTTLロジックICと比べて、大幅な電力低減 HCタイプ 2V～6V動作高いノイズ耐性：V_CC = 5Vで、N_IL= V_CCの30%、N_IH = 30% HCTタイプ 4.5V～5.5V動作ダイレクトLSTTL入力ロジック互換性、V_IL = 0.8V（最大）、V_IH = 2V（最小） CMOS入力互換性、I_l 1µA @ V_OL、V_OH SN7400 クワッド2入力ポジティブNANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。パッケージオプションは、プラスチックスモールアウトライン（D、NS、PS）、シュリンクスモールアウトライン（DB）、およびセラミックフラット（W）パッケージ、セラミックチップキャリア（FK）、および標準プラスチック（N）およびセラミック（J）DIPを含むまた、スモールアウトライン（PS）パッケージのデュアル2入力ポジティブNANDゲートとして入手可能 SN7404 ヘキサインバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。信頼できるTexas Instrumentsの品質と信頼性 SN74HC14 ヘキサシュミットトリガインバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2V～6Vの広い動作電圧範囲出力は、最大10のLSTTL負荷を駆動可能低消費電力、I_CC：最大20µA t_pd = 11ns標準 5Vで±4mAの出力ドライブ 1μA最大の低入力電流 SN74LS00 クワッド2入力ポジティブNANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。パッケージオプションは、プラスチックスモールアウトライン（D、NS、PS）、シュリンクスモールアウトライン（DB）、およびセラミックフラット（W）パッケージ、セラミックチップキャリア（FK）、および標準プラスチック（N）およびセラミック（J）DIPを含むまた、スモールアウトライン（PS）パッケージのデュアル2入力ポジティブNANDゲートとして入手可能 SN74LS04 ヘキサインバータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。信頼できるTexas Instrumentsの品質と信頼性 SN74LS08 クワッド2入力ポジティブANDゲートこちらをクリックして、詳細をご覧ください。パッケージオプションは、プラスチック「スモールアウトライン」パッケージ、セラミックチップキャリアおよびフラットパッケージ、およびプラスチックおよびセラミックDIPを含む信頼できるTexas Instrumentsの品質と信頼性 SN74CB3Q16211 24ビットFET 2.5V/3.3V低電圧高帯域幅バススイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのWidebus™ファミリの製品高帯域幅データパス（最大500MHz）デバイスがパワーアップまたはパワーダウンされた状態で5V耐圧のI/O 全動作範囲（r_on = 5Ω標準）にわたる、低/フラットオン状態抵抗（r_on）特性データI/Oポートでのレールツーレールスイッチング 3.3V V_CCで0V～5Vのスイッチング 2.5V V_CCで0V～3.3Vのスイッチング双方向データフロー、ほぼゼロの伝播遅延低入力/出力静電容量は、ローディングおよび信号歪みを最小化（C_io(OFF) = 4pF標準）高速スイッチング周波数（f_OE\ = 20MHz最大）データおよび制御入力は、アンダーシュートクランプダイオードを提供低消費電力（I_CC = 1mA標準） 2.3V～3.6VのV_CC動作範囲データI/Oは、0V～5Vのシグナリングレベル（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V）をサポート TTLまたは5V/3.3V CMOS出力により、制御入力を駆動可能 I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74LVC138A 3ライン～8ラインデコーダ/デマルチプレクサこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 1.65V～3.6Vで動作入力は、最大5.5Vの電圧を受け入れ t_pd = 5.8ns最大 @ 3.3V 標準V_OLP（出力グランドバウンス） < 0.8V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C 標準V_OHV（出力 V_OH アンダーシュート） > 2V @ V_CC = 3.3V、T_A = 25°C JESD17あたり２５０ｍAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101）標準リニアアナログ市場に特化したTIの製品は、信号処理回路、電源管理、インターフェース製品およびデータコンバータを含む多数の市場用の汎用製品です。 TIは、広範囲にわたるアプリケーションを満たす設計を特長とする、業界で最も豊富な品揃えの低電力そして低電圧のアナログ部品を開発しました。 TIの標準リニア製品は、次の項目を提供します。小型パッケージ高性能広範な容量アプリケーションサポート LMV339 クワッド汎用低電圧コンパレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.7Vおよび5V性能低電源電流 LMV331 . . . 130µA標準 LMV393 . . . 210µA標準 LMV339 . . . 410µA標準入力コモンモード電圧範囲はグランドを含む低出力飽和電圧：200mV標準オープンコレクタ出力により、最大の柔軟性を実現 LMV393 デュアル汎用低電圧コンパレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.7Vおよび5V性能低電源電流 LMV331 . . . 130µA標準 LMV393 . . . 210µA標準 LMV339 . . . 410µA標準入力コモンモード電圧範囲はグランドを含む低出力飽和電圧：200mV標準オープンコレクタ出力により、最大の柔軟性を実現 LMV331 シングル汎用低電圧コンパレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.7Vおよび5V性能低電源電流 LMV331 . . . 130µA標準 LMV393 . . . 210µA標準 LMV339 . . . 410µA標準入力コモンモード電圧範囲はグランドを含む低出力飽和電圧：200mV標準オープンコレクタ出力により、最大の柔軟性を実現 LM311 ストローブ付き差動コンパレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。高速応答時間ストローブ機能最大入力バイアス電流 . . . 300nA 最大入力オフセット電流 . . . 70nA 5Vの単一電源で動作可能 Q温度車載用で入手可能高信頼性車載用アプリケーション構成制御/印刷サポート車載用規格に基づいて認定済み LM358 デュアルオペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。広い電源範囲：単一電源 . . . 3V～32V （LM2904では26V）または両電源 . . . ±1.5V～±16V （LM2904では±13V）電源電圧と独立した低電源電流ドレイン . . . 0.7mA標準コモンモード入力電圧範囲にはグランドが含まれるため、グランド近くのダイレクトセンシングを実現低入力バイアスおよびオフセットパラメータ：入力オフセット電圧 ...3mV標準 Aバージョン ...2mV標準入力オフセット電流 ...2nA標準入力バイアス電流 . . . 20nA標準 Aバージョン . . . 15nA標準最大定格電源電圧に等しい差動入力電圧範囲 . . . ±32V （LM2904では26V）オープンループ差動電圧増幅 . . . 100V/mV標準内部周波数補償 LM4040A25 2.5V高精度マイクロパワーシャント電圧リファレンス、0.1%精度こちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.048V、2.5V、3V、4.096V、5V、8.192V、および10Vの固定出力電圧厳密な出力許容差および低温度係数最大0.1%、100ppm/°C - Aグレード最大0.2%、100ppm/°C - Bグレード最大0.5%、100ppm/°C - Cグレード最大1.0%、150ppm/°C - Dグレード低出力ノイズ. . .35µV_RMS標準広い動作電流範囲. . .45µA標準～15mA すべての容量性負荷で安定、出力コンデンサが不要拡張温度範囲で入手可能. . .-40°C～125°C アプリケーションデータ収集システム電源および電源モニタ計測器およびテスト機器プロセス制御高精度オーディオ車載用エレクトロニクスエネルギー管理電池駆動機器 LT1013 デュアル高精度オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。単一電源動作 - 入力電圧範囲はグランドに拡張 - 出力は、電流のシンク中にグランドにスウィング入力オフセット電圧 - LT1013Aでは150µV最大 @ 25°C オフセット電圧温度係数 - LT1013Aでは2.5µV/°C最大入力オフセット電流 - LT1013Aでは0.8nA最大 @ 25°C 高ゲイン . . . LT1013Aでは1.5V/µV最小（RL = 2kΩ）、0.8V/µV最小（RL = 600kΩ）低電源電流 . . . LT1013Aでは0.5mA最大 @ TA = 25°C 低ピーク－ピークノイズ電圧 . . . 0.55µV標準低電流ノイズ . . . 0.07pA/√Hz標準 NE5532 デュアル低ノイズ高速オーディオオペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。等価入力ノイズ電圧： 5nV/√Hz標準 @ 1kHz ユニティゲイン帯域幅：10MHz標準コモンモード除去率：100dB標準高DC電圧ゲイン：100V/mV標準ピーク－ピーク出力電圧振幅： V_CC± = ±15VおよびR_L = 600Ωで26V標準高スルーレート：9V/µs標準 RC4558 デュアル汎用オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。連続短絡保護広いコモンモードおよび差動電圧範囲周波数補償が不要低消費電力ラッチアップなしユニティゲイン帯域幅 . . . 3MHz標準アンプ間のゲインおよび位相マッチ低ノイズ . . . 8nV/√Hz標準 @ 1kHz TL431 可変高精度シャントレギュレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 −40°C～125°Cの動作 25°Cでの基準電圧許容誤差 0.5% . . . Bグレード 1%. . . Aグレード 2% . . . 標準グレード標準温度ドリフト（TL431B） 6mV（C温度） 14mV（I温度、Q温度）低出力ノイズ 0.2Ωの標準出力インピーダンスシンク電流機能 . . . 1mA～100mA 可変出力電圧 . . . Vref～36V TL072 デュアル低ノイズJFET入力汎用オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。低消費電力広いコモンモードおよび差動電圧範囲低入力バイアスおよびオフセット電流出力短絡保護低い全高調波歪み ... 0.003%標準低ノイズ V_n = 18nV/√Hz標準 @ f = 1kHz 高入力インピーダンス . . . JFET入力段内部周波数補償ラッチアップなしの動作高スルーレート . . . 13V/µs標準コモンモード入力電圧範囲は、V_CC+を含む TL074 クワッド低ノイズJFET入力汎用オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。低消費電力広いコモンモードおよび差動電圧範囲低入力バイアスおよびオフセット電流出力短絡保護低い全高調波歪み ... 0.003%標準低ノイズ V_n = 18nV/√Hz標準 @ f = 1kHz 高入力インピーダンス . . . JFET入力段内部周波数補償ラッチアップなしの動作高スルーレート . . . 13V/µs標準コモンモード入力電圧範囲は、V_CC+を含む TL084 JFET入力オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。低消費電力広いコモンモードおよび差動電圧範囲低入力バイアスおよびオフセット電流出力短絡保護低い全高調波歪み...0.003%標準高入力インピーダンス...JFET入力段ラッチアップなしの動作高スルーレート...13V/µs標準コモンモード入力電圧範囲は、V_CC+を含む UA741 汎用オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。短絡保護オフセット電圧ゼロ機能大きなコモンモードおよび差動電圧範囲周波数補償が不要低消費電力ラッチアップなし FairchildのuA741と交換可能となるように設計 L293D クワッドハーフHドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。現在、Texas InstrumentsのUnitrode L293およびL293D製品を提供広い電源電圧範囲：4.5V～36V 別々の入力ロジック電源内部ESD保護サーマルシャットダウン高ノイズ耐性入力 SGS L293およびSGS L293Dの機能的置き換え出力電流：1A/チャンネル（L293Dでは600mA）ピーク出力電流：2A/チャンネル（L293Dでは1.2A）誘導過渡抑制向けの出力クランプダイオード（L293D） LMV321 シングル低電圧レールツーレール出力オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.7Vおよび5V性能 -40°C～125°Cの動作低電力シャットダウンモード（LMV324S）クロスオーバー歪みなし低電源電流 LMV321 . . . 130µA標準 LMV358 . . . 210µA標準 LMV324 . . . 410µA標準 LMV324S . . . 410µA標準レールツーレール出力振幅 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） MAX232 デュアルEIA-232ドライバ/レシーバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 TIA/EIA-232-FおよびITU推奨V.28を満たすか、または超過 1.0µFチャージポンプコンデンサで、5Vの単一電源で動作最大120kビット/秒で動作 2つのドライバおよび2つのレシーバ ±30Vの入力レベル低電源電流 ...8mA標準 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A）向上したESD（15kV HBM）および0.1µFチャージポンプコンデンサとのアップグレードは、MAX202で利用可能アプリケーション TIA/EIA-232-F、電池駆動システム、ターミナル、モデム、およびコンピュータ OP07C 低オフセット電圧オペアンプこちらをクリックして、詳細をご覧ください。低ノイズ外付け部品不要より低コストでチョッパーアンプを置き換え広い入力電圧範囲 . . . 0～±14V標準広い電源電圧範囲 . . . ±3V～±18V ESD/EMI デバイスが携帯化し、複数のインターフェースコネクタを含み、タッチスクリーンを備え、外界にさらされ続ける中で、システムレベルの静電気放電（ESD）保護は今日の世界で非常に重要になっています。たった1つのESDストライクで、製品が恒久的に損傷する可能性があるため、ESD保護はシステム設計の重要な要素となっています。電磁妨害（EMI）は、システム設計で多くの場合に直面するもう1つの課題です。 EMIは、外部源からの電磁伝導により、電気回路に影響を及ぼす無線周波数（RF）（800MHz～2GHz）の妨害です。 Texas Instrumentsは、外界への外部接続の大部分を保護するソリューションを備えたESDおよびEMIデバイスを製造します。 TPD4E001 低静電容量4チャンネル+/-15kV ESD保護アレイこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 4チャンネルESDクランプアレイで、システムレベルのESD保護を強化 IEC61000-4-2（レベル4）ESD保護要件を超過 IEC 61000-4-2接触放電：±8kV IEC 61000-4-2気中放電：±15kV ±15kV人体モデル（HBM） 5.5Aのピークパルス電流（8/20μsパルス） 1.5pFの低入力静電容量 TPD4S014 USBチャージャポート保護向けの完全なシングルチップソリューションこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 VBUSでの入力電圧保護：最大28V 低Ron nFETスイッチ 2Aを超える充電電流をサポート過電圧および不足電圧ロックアウト機能 TPD4E001 高速データインターフェース用低静電容量4チャンネル+/-15kV ESD保護アレイこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 4チャンネルESDクランプアレイで、システムレベルのESD保護を強化 IEC61000-4-2（レベル4）ESD保護要件を超過 IEC 61000-4-2接触放電：±8kV IEC 61000-4-2気中放電：±15kV ±15kV人体モデル（HBM） 5.5Aのピークパルス電流（8/20μsパルス） 1.5pFの低入力静電容量 1nA（最大）の低リーク電流 0.9V～5.5Vの電源電圧範囲省スペースのDRL、DBV、DCK、およびDRSパッケージオプション代替2、3、6チャンネルオプションが入手可能：TPD2E001、TPD3E001、およびTPD6E001 TPD8E003 ポータブル省スペースアプリケーション用8チャンネルESDアレイこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 8チャンネルESDクランプアレイで、システムレベルのESD保護を強化 IEC61000-4-2（レベル4）ESD保護要件を超過 IEC 61000-4-2接触放電：±12kV IEC 61000-4-2気中放電：±15kV 3.5Aのピークパルス電流（8/20μsパルス） ±15kV人体モデル（HBM） 6Vの低降伏電圧低リーク電流省スペースの超薄型、スモールアウトラインノーリード[WSON (DQD)]パッケージ（0.4mmピッチ）アプリケーションキーパッドタッチスクリーンインターフェースメモリインターフェースドッキングコネクタインターフェース TPD7S019 内蔵レベルシフタ付きVGAポート用7チャンネル統合型ESDソリューションこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 7チャンネルESD保護は、ESD保護、レベルシフト、バッファリングおよびSyncインピーダンスマッチングを含む　外部ピンでの要件に基づき、IEC61000-4-2（レベル4）ESD保護要件を超過 ±15kV人体モデル（HBM） IEC 61000-4-2接触放電：±8kV VIDEOラインでのESD保護ダイオードからの非常に低い負荷静電容量（2.5pF） HSYNCおよびVSYNCライン用の5Vドライバ Syncラインでの内蔵のインピーダンスマッチング抵抗：　 TPD7S019-65：65Ω終端 TPD7S019-15：15Ω終端 TPD7S019-55：55Ω終端 DDC_CLKおよびDDC_DATAチャンネル向けに提供される、双方向レベルシフトNチャンネルFET フロースルーシングルインラインピンマッピングは、追加のボードレイアウトの負担がないことを確保するとともに、コネクタの近くにESD保護チップを配置可能アプリケーション次の項目におけるVGAおよびDVI-Iポートデスクトップおよびノートパソコングラフィックカードセットトップボックステレビ TPD2S017 直列抵抗絶縁を備えた2チャンネル超低クランプ電圧ESDソリューションこちらをクリックして、詳細をご覧ください。超低クランプ電圧は、ESD事象中の超低電圧コアチップセットの保護を確保 IEC61000-4-2（レベル4）に基づくESD保護要件を超過 ±8mΩ（標準）で直列抵抗をマッチング 0.02pF（標準）の差動チャンネル入力静電容量マッチング高周波数での高速データレートおよびEMIフィルタアクション（–3dB帯域幅、≈3GHz） 6ピンスモールアウトライントランジスタ[SOT (DBV)]パッケージで入手可能高速ライン向けのフロースルーシングルインラインピンマッピングは、追加のボードレイアウトの負担がないことを確保するとともに、コネクタの近くにESD保護チップを配置可能アプリケーション Hi-Speed USB IEEE 1394インターフェース低電圧差動信号伝達（LVDS）モバイルディスプレイデジタルインターフェース（MDDI）/ モバイルインダストリープロセッサインターフェース（MIPI） HS信号 TPD12S015A HDMIコンパニオンチップ、昇圧DC/DC、I2Cレベルシフタおよび高速ESDクランプ付き、ポータブルアプリケーション用こちらをクリックして、詳細をご覧ください。外付け部品なしでHDMI準拠のテストに対応 HDMI 1.4データレートをサポートクラスDおよびクラスCのピン配列に一致各差動信号ペアで優れたマッチング静電容量（0.05pF）内部昇圧コンバータで、2.3～5.5Vの電池電圧から5Vを生成 CEC、SDA、およびSCLパスでの自動方向センシングレベルシフト IEC 61000-4-2（レベル4）システムレベルESDに準拠業界で一般的なTPD12S015の向上したドロップイン置き換え産業用温度範囲：–40°C～85°C TPD1E10B09 10pFの静電容量および9Vの降伏電圧を備えた、0402パッケージのシングルチャンネルESD保護こちらをクリックして、詳細をご覧ください。低電圧IOインターフェース向けにシステムレベルESD保護を提供 IEC 61000-4-2レベル4 ±20kV（気中放電）、 ±20kV（接触放電） IEC 61000-4-5（サージ）：4.5A（8/20µs） IO静電容量：10pF（標準） R_DYN：0.5Ω（標準） DC降伏電圧：±9.5V（最小）超低リーク電流：100nA（標準） 13Vのクランピング電圧（最大 @ I_PP = 1A）産業用温度範囲：–40°C～125°C 省スペースの0402フットプリント（1mm x 0.6mm x 0.5mm） TPD1E10B06 10pFの静電容量および6Vの降伏電圧を備えた、0402パッケージのシングルチャンネルESD保護こちらをクリックして、詳細をご覧ください。低電圧IOインターフェース向けにシステムレベルESD保護を提供 IEC 61000-4-2レベル4 ±30kV（気中放電）、 ±30kV（接触放電） IEC 61000-4-5（サージ）：6A（8/20µs） IO静電容量：12pF（標準） R_DYN：0.4Ω（標準） DC降伏電圧：±6V（最小）超低リーク電流：100nA（最大） 10Vのクランピング電圧（最大 @ I_PP = 1A）産業用温度範囲：–40°C～125°C 省スペースの0402フットプリント（1mm x 0.6mm x 0.5mm）アナログスイッチ今日の競争環境は、より高い性能の必要性を常にもたらしています。システム性能最適化の1つの一般的な方法は、DSP、CPU、業界標準のバス、メモリ、ペリフェラル間の高速双方向バスインターフェースを提供するためのFETスイッチまたは信号スイッチの使用を伴います。 Texas Instrumentsの信号スイッチ製品ラインナップは、信号バッファリングが必要でない時に標準バスインターフェースデバイスの高性能で低電力の置き換えを提供する、デジタルスイッチ、アナログスイッチおよび特殊スイッチから構成されます。アナログスイッチ TS3DDR3812 高速アプリケーション向けの12チャンネル、1:2マルチプレクサ/デマルチプレクサスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。広帯域幅：1.675GHz 低伝播遅延（t_pd = 40ps標準）低ビット間スキュー（t_sk(o) = 6ps最大） 3V～3.6VのV_CC動作範囲 TS5USBA224 USB 2.0 High-Speed（480Mbps）およびオーディオスイッチ、負信号対応こちらをクリックして、詳細をご覧ください。 4Ω High-Speed USBスイッチ： R_DSON標準 12.5pF C_ON標準 650MHzの帯域幅（–3dB）オーディオスイッチ： 3Ω R_DSON標準負レール対応低THD：<0.05% 内部シャント抵抗器により、クリック/ポップを低減 V_AUDIO（2.7V～5.5V）から駆動 1.8V互換制御入力（A_SELおよびV_BUS）閾値 JESD 22に従ってESD保護テスト済み TS5A22362 0.65ΩデュアルSPDTアナログスイッチ、負レール対応こちらをクリックして、詳細をご覧ください。指定されたブレークビフォアメイクスイッチング負のシグナリング機能： –2.75V～2.75V（V₊ = 2.75V）の最大スウィング内部シャントスイッチは、2つのソース間のスイッチング時に可聴クリック/ポップを防止（TS5A22364）低オン状態抵抗（0.65Ω標準）低チャージ注入優れたオン状態抵抗マッチング 2.3V～5.5V電源（V₊） JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2500V人体モデル（A114-B、クラスII） 1500V充電デバイスモデル（C101） 200V機械モデル（A115-A）アプリケーション携帯電話 PDA ポータブル計測器オーディオルーティング医療用画像処理 TS3USB221 シングルイネーブル付きHigh-Speed USB 2.0（480Mbps）1:2マルチプレクサ/デマルチプレクサスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2.5Vおよび3.3VでのV_CC動作 V_I/Oは、最大5.5Vの信号を受け入れ 1.8V互換制御ピン入力 OEがディスエーブル時に低電力モード（1µA） r_ON = 6Ω最大 Δr_ON = 0.2Ω標準 C_io(on) = 6pF最大低消費電力（30µA最大） ESD > 2000V人体モデル（HBM）高帯域幅（1.1GHz標準）アプリケーション USB 1.0、1.1、および2.0向けの信号ルーティングモバイルインダストリープロセッサインターフェース（MIPI）信号ルーティング TS3USB30 シングルイネーブル付きHigh-Speed USB 2.0（480Mbps）1:2マルチプレクサ/デマルチプレクサスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 3Vおよび4.3VでのV_CC動作 1.8V互換制御ピン入力 I_OFFは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート r_on = 10Ω最大 Δr_on <0.35Ω標準 C_io(ON) = 7pF標準低消費電力（1µA最大） JESD 22に従ってESD保護テスト済み 6000V人体モデル（HBM）（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） 250V機械モデル（A115-A） –3dB帯域幅 = 955MHz標準 10ピンTQFN（1.4mm × 1.8mm）のパッケージアプリケーション USB 1.0、1.1、および2.0向けの信号ルーティングモバイルインダストリープロセッサインターフェース（MIPI）信号ルーティング TS5A23159 1ΩデュアルSPDTアナログスイッチ5V/3.3V 2チャンネル2:1マルチプレクサ/デマルチプレクサこちらをクリックして、詳細をご覧ください。パワーダウンモードでの絶縁、V₊ = 0 指定されたブレークビフォアメイクスイッチング低オン状態抵抗（1Ω）制御入力は5.5V耐圧低チャージ注入優れたオン状態抵抗マッチング低い全高調波歪み（THD） 1.65V～5.5Vの単一電源動作 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101）アプリケーション携帯電話 PDA ポータブル計測器オーディオおよびビデオ信号ルーティング低電圧データ収集システム通信回路モデム TS5USBA224 USB 2.0 High-Speed（480Mbps）およびオーディオスイッチ、負信号対応こちらをクリックして、詳細をご覧ください。 High-Speed USBスイッチ： 4Ω R_DSON標準 12.5pF C_ON標準 650MHzの帯域幅（–3dB）オーディオスイッチ： 3Ω R_DSON標準負レール対応低THD：<0.05% 内部シャント抵抗器により、クリック/ポップを低減 V_AUDIO（2.7V～5.5V）から駆動 1.8V互換制御入力（A_SELおよびV_BUS）閾値 I_OFFは、部分的なパワーダウンモードをサポート JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） 200V機械モデル（A115-A）アプリケーション携帯電話携帯情報端末（PDA）ポータブル計測器 TSU6111 インピーダンスおよびチャージャ検出内蔵のデュアルSP2TマイクロUSBスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。デュアルSP2T USBおよびUARTパスは、USB 2.0 High Speedをサポートスマート検出プラグイン/アンプラグ検出 USBチャージャ検出インピーダンス検出検出はCEA-936Aに対応（4線式プロトコル、UARTインターフェース）チャージャ検出 USB BCDv1.1準拠 VBUS検出データコンタクト検出 1次および2次検出対応アクセサリ USBケーブル UARTケーブル USBチャージャBCDv1.1 その他の特長ホストプロセッサとのI²Cインターフェース製造で使用される制御信号（JIG、BOOT）をサポートアクセサリの取り付けおよび取り外し向けの割り込み TS3A24159 0.3ΩデュアルSPDTアナログスイッチデュアルチャンネル2:1マルチプレクサ/デマルチプレクサこちらをクリックして、詳細をご覧ください。指定されたブレークビフォアメイクスイッチング低オン状態抵抗（0.3Ω最大）低チャージ注入優れたオン状態抵抗マッチング低い全高調波歪み（THD） 1.65V～3.6Vの単一電源動作制御入力：1.8Vロジック互換性 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101）ロードスイッチ TIのTPS229xxファミリ統合型ロードスイッチは、回路リークを低減することにより、システム内の電力消費を最適化する簡単なソリューションを提供します。これらのロードスイッチは、携帯用電源管理の設計者が直面している課題に対するソリューションとして、特別に設計されています。これらの製品は、単一のダイにディスクリートロードスイッチのすべての主要機能を統合し、最大の性能および柔軟性をエンドユーザーに提供します。統合型ロードスイッチの使用は、分散型電源管理アーキテクチャを実装し、未使用時にアプリケーションをパワーダウンする容易な方法です。 TPS22946 超低電力、低入力電圧、電流制限ロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。超低静止電流：1µA（標準） @ V_IN = 1.8V 入力電圧範囲：1.62V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 300mΩ @ V_IN = 5.5V r_ON = 400mΩ @ V_IN = 3.3V r_ON = 500mΩ @ V_IN = 2.5V r_ON = 600mΩ @ V_IN = 1.8V 選択可能な最小電流制限： 155mA、70mA、または30mA 統合型突入電流タイムアウト（8ms）シャットダウン電流：< 1µA サーマルシャットダウン障害ブランキング自動リスタート過電流状態タイムアウト（恒久的過電流向けの自動ディスエーブル） 1.8V互換制御入力 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 6000V人体モデル（A114-B、クラスII）小型WCSPパッケージ：1.4mm x 0.9mm（YZP）アプリケーション指紋モジュール保護 TPS22941 シャットオフおよび自動リスタート機能を備えた低入力電圧40mA電流制限ロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。入力電圧範囲：1.62V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 0.4Ω @ V_IN = 5.5V r_ON = 0.5Ω @ V_IN = 3.3V r_ON = 0.6Ω @ V_IN = 2.5V r_ON = 0.8Ω @ V_IN = 1.8V 最小電流制限：40mAまたは100mA 低電圧ロックアウトサーマルシャットダウンシャットダウン電流：< 1µA 高速電流制限応答時間障害ブランキング自動リスタート 1.8V互換制御入力閾値 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 4000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101）小型SC-70（DCK）パッケージアプリケーション低電流センサ保護 TPS22904 クイック出力放電を備えた超小型低入力電圧低rONロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。入力電圧：1.1V～3.6V 超低オン状態抵抗 r_ON = 66mΩ @ V_IN = 3.6V r_ON = 75mΩ @ V_IN = 2.5V r_ON = 90mΩ @ V_IN = 1.8V r_ON = 135mΩ @ V_IN = 1.2V 最大連続スイッチ電流：500mA 静止電流：< 1µA シャットダウン電流：< 1µA 低い制御入力閾値により、1.2V/1.8V/2.5V/3.3Vロジックの使用が可能制御されるスルーレート（5µs最大 @ 3.6V）クイック出力放電（TPS22904のみ） JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101） 4端子ウェハチップスケールパッケージ（WCSP） 0.8mm × 0.8mm、 0.4mmピッチ、0.5mm高さアプリケーション PDA 携帯電話 TPS22929D ターンオン制御付きの低入力電圧、1.8Aシングルチャンネルロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。統合型シングルロードスイッチ小型SOT23-6パッケージ入力電圧範囲：1.4V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 115mΩ @ VIN = 5V r_ON = 115mΩ @ VIN = 3.3V r_ON = 118mΩ @ VIN = 2.5V r_ON = 129mΩ @ VIN = 1.5V 1.8Aの連続スイッチ電流（25°C）低閾値制御入力制御されるスルーレートのオプション不足電圧ロックアウトクイック出力放電トランジスタ逆電流保護 TPS22913C ターンオン制御付きの超小型、低rON、2Aシングルチャンネルロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。統合型シングルロードスイッチ超小型CSP-4パッケージ：0.9mm × 0.9mm、0.5mmピッチ入力電圧範囲：1.4V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 60mΩ @ VIN = 5V r_ON = 61mΩ @ VIN = 3.3V r_ON = 74mΩ @ VIN = 1.8V r_ON = 84mΩ @ VIN = 1.5V 最大連続スイッチ電流：2A 低閾値制御入力制御されるスルーレートのオプション不足電圧ロックアウトクイック出力放電トランジスタ逆電流保護 TPS22912C ターンオン制御付きの低入力電圧、2Aシングルチャンネルロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。統合型シングルロードスイッチ超小型CSP-4パッケージ：0.9mm × 0.9mm、0.5mmピッチ入力電圧範囲：1.4V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 60mΩ @ VIN = 5V r_ON = 61mΩ @ VIN = 3.3V r_ON = 74mΩ @ VIN = 1.8V r_ON = 84mΩ @ VIN = 1.5V 最大連続スイッチ電流：2A 低閾値制御入力制御されるスルーレートのオプション不足電圧ロックアウト逆電流保護 TPS22910A ターンオン制御付きの超小型、低rON、2Aシングルチャンネルロードスイッチこちらをクリックして、詳細をご覧ください。統合型シングルロードスイッチ超小型CSP-4パッケージ：0.9mm × 0.9mm、0.5mmピッチ入力電圧範囲：1.4V～5.5V 低オン抵抗 r_ON = 60mΩ @ VIN = 5V r_ON = 61mΩ @ VIN = 3.3V r_ON = 74mΩ @ VIN = 1.8V r_ON = 84mΩ @ VIN = 1.5V 最大連続スイッチ電流：2A 低閾値制御入力制御されるスルーレートのオプション不足電圧ロックアウト逆電流保護 I²C 多くのペリフェラル接続で回路が複雑化する中で、設計を簡素化しコストを削減する方法が求められています。プリント回路基板（PCB）トレースの数を制限し、マイクロプロセッサでの汎用入力および出力（GPIO）の使用を低減することで、I2Cバスはこの要件に適合します。 Texas InstrumentsのI/Oエキスパンダ、マルチプレクサ、バッファおよびリピータは、実績のあるI²Cデバイスを使用して、効果的なサブシステム通信およびインターフェースをシステム設計者が達成するのを支援できます。 I²C（集積回路間）バスは2本の線で構成されます。双方向シリアルデータ（SDA）線と双方向シリアルクロック（SCL）線です。 TIのI²C製品ラインナップには、TCA、PCA、およびPCF技術が含まれます。 TCA5405 低電圧5ビット自己タイミング型、1線式出力エキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。動作電源電圧範囲：1.65V～3.6V 5つの独立したプッシュプル出力シングル入力（DIN）は、すべての出力状態を制御 LEDを直接駆動するための、高電流駆動出力の最大の機能 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 TCA6416A 低電圧16ビットI²CおよびSMBus I/Oエキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。動作電源電圧範囲：1.65V～5.5V パラレルポートエキスパンダへのI²C 低スタンバイ消費電流：3µA シュミットトリガアクションは、SCLおよびSDA入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現 PCA9306 デュアル双方向I2CバスおよびSMBus電圧レベルトランスレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。混合モードI²Cアプリケーションでの SDAおよびSCLライン向けの2ビット双方向トランスレータ I²CおよびSMBus互換 1.5ns未満の最大伝播遅延で、標準モードおよび高速モードI²Cデバイスおよび複数のマスターに対応次の値間の電圧レベルトランスレータを実現 1.2V V_REF1および1.8V、2.5V、3.3V、または5V V_REF2 1.8V V_REF1および2.5V、3.3V、または5V V_REF2 2.5V V_REF1および3.3Vまたは5V V_REF2 3.3V V_REF1および5V V_REF2 方向ピンなしで双方向電圧変換を提供入力ポートと出力ポート間の低3.5Ωオン状態接続は、少ない信号歪みを実現オープンドレインI²C I/Oポート（SCL1、SDA1、SCL2、およびSDA2） 5V耐圧のI²C I/Oポートで、混合モード信号動作をサポート EN = ローで、高インピーダンスのSCL1、SDA1、SCL2、およびSDA2ピン EN = ロー時の絶縁向けのロックアップフリー動作フロースルーピン配列により、プリント回路基板トレースのルーティングが容易 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） TCA6408A 低電圧8ビットI2CおよびSMBus I/Oエキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。動作電源電圧範囲： 1.65V～5.5V 下記の間で双方向電圧レベル変換および GPIO拡張が可能 1.8V SCL/SDAおよび1.8V、2.5V、 3.3V、または5V Pポート 2.5V SCL/SDAおよび1.8V、2.5V、 3.3V、または5V Pポート 3.3V SCL/SDAおよび1.8V、2.5V、 3.3V、または5V Pポート 5V SCL/SDAおよび1.8V、2.5V、 3.3V、または5V PポートパラレルポートエキスパンダへのI²C 低スタンバイ消費電流：1µA シュミットトリガアクションは、SCLおよびSDA入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現 V_hys = 0.18V標準 @ 1.8V V_hys = 0.25V標準 @ 2.5V V_hys = 0.33V標準 @ 3.3V V_hys = 0.5V標準 @ 5V 5V耐圧のI/Oポートアクティブローリセット（RESET）入力オープンドレインアクティブロー割り込み（INT）出力 400kHzの高速I²Cバス入力/出力構成レジスタ極性反転レジスタ内部パワーオンリセット TCA6424A 低電圧24ビットI2CおよびSMBus I/Oエキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。動作電源電圧範囲：1.65V～5.5V 下記の間で双方向電圧レベル変換およびGPIO拡張が可能 1.8V SCL/SDAおよび 1.8V、2.5V、3.3V、または5V Pポート 2.5V SCL/SDAおよび 1.8V、2.5V、3.3V、または5V Pポート 3.3V SCL/SDAおよび 1.8V、2.5V、3.3V、または5V Pポート 5V SCL/SDAおよび 1.8V、2.5V、3.3V、または5V PポートパラレルポートエキスパンダへのI²C 低スタンバイ消費電流：1µA シュミットトリガアクションは、SCLおよびSDA入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現 V_hys = 0.18V標準 @ 1.8V V_hys = 0.25V標準 @ 2.5V V_hys = 0.33V標準 @ 3.3V V_hys = 0.5V標準 @ 5V 5V耐圧のI/Oポートアクティブローリセット入力（RESET）オープンドレインアクティブロー割り込み出力（INT） 400kHzの高速I²Cバス入力/出力構成レジスタ極性反転レジスタ内部パワーオンリセット TCA6507 輝度制御とシャットダウン付き低電圧7ビットI2CおよびSMBus LEDドライバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 7つのLEDドライバ出力：オン、オフ、プログラム可能なレートでの点滅やフェーディング　オープンドレイン出力は、40mA（最大）にLEDを直接駆動 LEDドライバの2つの独立したバンクに構成可能広くプログラム可能な点滅レート、フェードオンおよびフェードオフレートおよび最大輝度　パルス幅変調（PWM）を使用したLED輝度セット LEDドライバとして使用されない出力は、通常の汎用オープンドレイン出力として使用可能完全オフから完全オン状態の16ステップの最大輝度制御フェードオンまたはフェードオフ中の256の輝度レベルにより、スムーズな知覚遷移を実現動作電源電圧範囲：1.65V～3.6V EVMが入手可能シュミットトリガアクションは、入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現 V_hys = 0.18V標準 @ 1.8V V_hys = 0.25V標準 @ 2.5V V_hys = 0.33V標準 @ 3.3V 5.5V耐圧のオープンドレイン出力シャットダウン機能を備えた低スタンバイ電流により、追加の電力節約を実現内部パワーオンリセット内部発振器には、外付け部品が不要 SMBusに対応するI²Cバスインターフェースロジックを通してプログラム 400kHzの高速I²Cバス TCA9555 割り込み出力および構成レジスタを備えた、リモート16ビットI2CおよびSMBus I/Oエキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。低スタンバイ消費電流：3µA最大パラレルポートエキスパンダへのI²C オープンドレインアクティブロー割り込み出力 5V耐圧のI/Oポートほとんどのマイクロコントローラに対応 400kHzの高速I²Cバス最大8つのデバイスの使用向けに 3つのハードウェアアドレスピンによりアドレス指定極性反転レジスタ LEDを直接駆動するための、高電流駆動機能を備えたラッチ出力 JESD 78、クラスIIによる 100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） TCA7408 割り込み出力リセットI/O方向レジスタを備えた低電圧8ビットI2C I/Oエキスパンダこちらをクリックして、詳細をご覧ください。動作電源電圧範囲：1.65V～3.6V 下記の間で双方向電圧レベル変換およびGPIO拡張が可能 1.8V SCL/SDAと1.8V、2.5V、3.3V GPIOポート 2.5V SCL/SDAと1.8V、2.5V、3.3V GPIOポート 3.3V SCL/SDAと1.8V、2.5V、3.3V GPIOポート 5V SCL/SDAと1.8V、2.5V、3.3V GPIOポートスタンバイ消費電流：<2µA @ 1.8V アクティブ消費電流： 2µA未満（1.8V、100kHzクロック） 5µA未満（1.8V、400kHzクロック） 100kHz、400kHzの高速モードパワーオンリセットおよびウォッチドッグタイマ内蔵フェイルセーフI²C、INT、およびRESETライン SCL/SDAおよび入力でのノイズフィルタシュミットトリガアクションは、SCLおよびSDA入力で低速入力遷移および優れたスイッチングノイズ耐性を実現 V_hys = 0.18V標準 @ 1.8V V_hys = 0.25V標準 @ 2.5V V_hys = 0.33V標準 @ 3.3V アクティブローリセット（RESET）入力オープンドレインアクティブロー割り込み（INT）出力 TCA9509 レベル変換I2Cバスリピータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 2チャンネル双方向バッファ I²CバスおよびSMBus互換動作電源電圧範囲： B側で2.7V～5.5V 動作電圧範囲：A側で0.9V～V_CCB – 1V 電圧レベル変換： 0.9V～(V_CCB - 1V)および2.7V～5.5 V アクティブハイリピータイネーブル入力より低電圧のポートAで外付けプルアップ抵抗が不要オープンドレインI²C I/O 5.5V耐圧のI²Cおよびイネーブル入力は、混合モード信号動作をサポートロックアップフリー動作標準モードおよび高速モードI²Cデバイスおよび複数のマスターに対応リピータにわたってアービトレーションおよびクロックストレッチをサポートパワーオフされた高インピーダンスI²Cバスピン 400kHzの高速I²Cバス動作速度をサポート次のパッケージで入手可能 1.6mm x 1.6mm、0.4mm高さ、0.5mmピッチのQFNパッケージ 3mm x 3mmの業界標準MSOPパッケージ JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A）トランスレータ同じ回路基板で異なる動作電源電圧レベルの同時使用を混合し、マッチングし、サポートすることができるため、電圧レベル変換の必要性が生じています。電圧レベルトランスレータまたはレベルシフタは、同じ回路基板上で異なる電源電圧レベルの同時使用によりもたらされる課題に対処します。 Texas Instrumentsは、レベルシフタに関するお客様のすべてのニーズを満たすべく、業界で最も幅広いレベル変換製品ラインナップを提供します。 TXS4555 ワイヤレスベースバンドプロセッサをインターフェースするための完全なSIMカードソリューションこちらをクリックして、詳細をご覧ください。レベルトランスレータ 1.65V～3.3VのV_CC範囲 2.3～5.5VのV_BATT範囲低ドロップアウト（LDO）レギュレータイネーブルを備えた50mA LDOレギュレータ 1.8Vまたは2.95Vの選択可能な出力電圧 2.3V～5.5Vの入力電圧範囲非常に低いドロップアウト：100mV（最大） @ 50mA TXS0102 オープンドレインアプリケーション向けの2ビット双方向電圧レベルトランスレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。方向制御信号が不要最大データレート 24Mbps（プッシュプル） 2Mbps（オープンドレイン） Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 Aポートで1.65V～3.6V、およびBポートで2.3V～5.5V（V_CCA ≤ V_CCB） TXB0104 自動方向センシングおよび+/-15kV ESD保護を備えた4ビット双方向電圧レベルトランスレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Aポートで1.2V～3.6V、およびBポートで1.65V～5.5V （V_CCA ≤ V_CCB） V_CC絶縁機能 – どちらかの V_CC入力がGNDの場合、すべての出力は高インピーダンス状態 V_CCAを基準とするOE入力回路低消費電力、I_CC：最大5µA I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 Aポート 2500V人体モデル（A114-B） 1500V充電デバイスモデル（C101） Bポート ±15kV人体モデル（A114-B） 1500V充電デバイスモデル（C101） TXS0104E オープンドレインアプリケーション向けの4ビット双方向電圧レベルトランスレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。方向制御信号が不要最大データレート 24Mbps（プッシュプル） 2Mbps（オープンドレイン） Texas InstrumentsのNanoFreeパッケージで入手可能 Aポートで1.65V～3.6V、およびBポートで2.3V～5.5V（V_CCA ≤ V_CCB）電源シーケンシングが不要 – V_CCAまたはV_CCBを最初にランプ可能 JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 Aポート：2000V人体モデル（A114-B）、200V機械モデル（A115-A）、1000V充電デバイスモデル（C101） Bポート：15kV人体モデル（A114-B）、200V機械モデル（A115-A）、1000V充電デバイスモデル（C101） IEC 61000-4-2 ESD（Bポート）接触放電：±8kV 気中放電：±10kV SN74LVC1T45 コンフィギュラブル電圧変換および3ステート出力を備えたシングルビットデュアル電源バストランシーバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能完全コンフィギュラブルのデュアルレール設計により、各ポートは、全1.65V～5.5V電源範囲にわたって動作可能 V_CC絶縁機能 – どちらかのV_CC入力がGNDの場合、両方のポートは高インピーダンス状態 V_CCAを基準とするDIR入力回路低消費電力、I_CC：最大4µA 3.3Vで±24mAの出力ドライブ I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート最大データレート 420Mbps（3.3V～5V変換） 210Mbps（3.3Vに変換） 140Mbps（2.5Vに変換） 75Mbps（1.8Vに変換） JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 2000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AVC2T45 コンフィギュラブル電圧変換および3ステート出力を備えたデュアルビットデュアル電源バストランシーバこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoFree™パッケージで入手可能 V_CCA電圧を基準とする制御入力V_IH/V_ILレベル完全コンフィギュラブルのデュアルレール設計により、各ポートは、全1.2V～3.6V電源範囲にわたって動作可能 I/Oは4.6V耐圧 I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート最大データレート 500Mbps（1.8V～3.3V変換） 320Mbps（< 1.8V～3.3V変換） 320Mbps（2.5Vまたは1.8Vに変換） 280Mbps（1.5Vに変換） 240Mbps（1.2Vに変換） JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 8000V人体モデル（A114-A） 200V機械モデル（A115-A） 1000V充電デバイスモデル（C101） SN74AUP1T97 単一電源電圧トランスレータこちらをクリックして、詳細をご覧ください。 Texas InstrumentsのNanoStar™パッケージで入手可能単一電源電圧トランスレータ 1.8V～3.3V（@ V_CC = 3.3V） 2.5V～3.3V（@ V_CC = 3.3V） 1.8V～2.5V（@ V_CC = 2.5V） 3.3V～2.5V（@ V_CC = 2.5V） 9つの構成可能なゲートロジック機能シュミットトリガ入力は、入力ノイズを除去し、優れた出力信号の完全性を提供 I_offは、低リーク電流（0.5µA）で部分的なパワーダウンモードをサポート非常に低い静的および動的電力消費鉛フリーパッケージが入手可能：SON（DRYまたはDSF）、 SOT-23（DBV）、SC-70（DCK）、およびNanoStar WCSP JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 JESD 22に従ってESD保護テスト済み 2000V人体モデル（A114-B、クラスII） 1000V充電デバイスモデル（C101）関連デバイス：SN74AUP1T98、SN74AUP1T57、およびSN74AUP1T58 TXB0304 0.9V～3.6Vの完全に対称な範囲を備えた4ビット双方向自動方向センシングこちらをクリックして、詳細をご覧ください。完全に対称な電源電圧。 Aポートで0.9V～3.6V、およびBポートで0.9V～3.6V V_CC絶縁機能 – どちらかのV_CC入力がGNDの場合、すべての出力は高インピーダンス状態 V_CCAを基準とするOE入力回路低消費電力、5µA最大（I_CCAまたはI_CCB） I_offは、部分的なパワーダウンモード動作をサポート JESD 78、クラスIIによる100mAを超えるラッチアップ性能 ESD保護はJESD 22を超過 8000V人体モデル（A114-B） 1000V充電デバイスモデル（C101）	Texas Instruments 適用項目フィルタ在庫品目鉛フリー RoHS対応カテゴリ別部品検索リスト RoHS対応および鉛フリー RoHS適合証明書メーカーサイトへのリンクガイド I²Cガイドアナログスイッチガイド標準リニアガイドリトルロジックガイドロジックガイド変換ガイドおすすめ動画 TS3A225Eオーディオヘッドセットスイッチのデモプロダクトトレーニングモジュールアナログスイッチソリューション ESD/EMI保護 I²CおよびSMBusソリューション電圧レベル変換

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