TOLLおよびPDFN88パッケージの第4世代600VスーパージャンクションMOSFET
Taiwan SemiconductorのMOSFETは、電力システム向けに優れた熱性能を実現
Taiwan Semiconductorの600V第4世代スーパージャンクション(SJ)MOSFETは、最先端の効率と高度な設計能力を兼ね備えており、高電力システムの要求に応えます。最新の第4世代SJ技術に基づくこのMOSFETは、安定したスイッチング性能、低ゲートチャージ、強力なノイズ耐性を備え、幅広い電力アプリケーションで信頼性の高い動作をサポートします。
TOLLとPDFN88パッケージの導入により、設計者は回路レイアウトと熱設計におけるより高度な柔軟性を手にできます。これらのパッケージオプションは、スーパージャンクションMOSFET技術の実績ある電気的特性を維持しながら、集積化の可能性を高めます。エンジニアは、スペースの制約や熱的要件に基づいて最適なパッケージを選択できるようになり、より適応性の高い効率的なシステム設計が可能になります。
産業用、再生可能、電力変換システムの進化するニーズに合わせて設計されたこれらのMOSFETは、性能の安定性と設計の多様性をバランスよく兼ね備えています。その堅牢な技術と拡張されたパッケージオプションにより、エネルギー効率と耐久性に優れた電力ソリューションとして信頼できる選択肢となっています。
- 第4世代SJテクノロジー
- スムーズなスイッチング動作を可能にする低ゲート電荷
- 高いゲートノイズ耐性
- 柔軟なレイアウトを可能にするTOLLおよびPDFN88パッケージ
- RoHS対応およびハロゲンフリー
- スイッチモード電源(SMPS)
- サーバおよびデータセンター電力システム
- 産業用およびLED照明
- モータ駆動インバータ
- マイクロPVと再生可能エネルギーシステム
4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs with TOLL and PDFN88 Packages
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TSM60NE084TL RAG | 600V, 47A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 1943 - 即時 | $1,431.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | TSM60NE110TL RAG | 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 1997 - 即時 | $1,182.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | TSM60NE110CE RVG | 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 即時 | $1,163.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | TSM60NE160CE RVG | 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 即時 | $899.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | TSM60NE180CE RVG | 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 即時 | $798.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | TSM60NE285CE RVG | 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 即時 | $636.00 | 詳細を表示 |



