STGAP2SICD SiC FET用6kVガルバニック絶縁デュアルゲートドライバ

STMicroelectronicsのSTGAP2SiCDは、SiCパワートランジスタの駆動に適したSO-36ワイドパッケージの6kVガルバニック絶縁デュアルチャンネルゲートドライバです。各ゲート駆動チャンネルと低電圧制御およびインターフェース回路の間にガルバニック絶縁を提供します。STGAP2SiCDは、最新の6kVガルバニック絶縁技術を利用して、フルセットの保護機能と最大限の駆動の柔軟性を提供します。

このゲートドライバは、4A能力とレールツーレール出力を特長とし、電力変換、産業用駆動、インバータなどの中・大電力アプリケーションに適しており、最大1200Vの高電圧レールを維持することが可能です。

dV/dt過渡耐性は全温度範囲で±100V/nsと、電圧過渡に対する優れた堅牢性を確保しています。また、シンクとソースを分離することでゲート駆動を容易に構成できるほか、ハーフブリッジトポロジの高速整流時のゲートスパイクを防止するミラーCLAMP機能を備えています。3.3VまでのCMOS/TTL互換ロジック入力により、マイクロコントローラおよびDSPペリフェラルとの直接的なインターフェース接続が確保されています。

このデバイスは、SiC特有の低電圧ロックアウトやサーマルシャットダウン保護機能を内蔵し、高信頼性のシステム設計を容易にします。ハーフブリッジトポロジの場合、インターロック機能により、出力が同時にハイになることを防ぎ、誤ったロジック入力コマンドが発生した場合の貫通状態を回避することができます。専用の構成ピンにより、インターロック機能を無効にし、2つのチャンネルを独立した並列動作にすることができます。入力から出力への伝搬遅延の結果は75ns以内に抑えることができるため、精度の高いPWM制御が可能です。アイドル時の消費電力を下げるため、STANDBYモードが装備されています。