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BM60212ハイサイドおよびローサイドドライバ
ROHMのドライバは最大1200Vで動作し、NチャンネルパワーMOSFETおよびIGBTを駆動可能
ROHMのBM60212FV-Cは、ブートストラップ動作で最大1200Vまで動作するハイサイドおよびローサイドのドライバICで、NチャンネルパワーMOSFETおよびIGBTを駆動できます。不足電圧ロックアウト（UVLO）機能とミラークランプ機能が組み込まれています。
特長
- AEC-Q100認証取得
- 1200Vのハイサイドフローティング電源電圧
- アクティブミラークランプ
- 不足電圧ロックアウト機能
- 3.3Vおよび5.0V入力ロジック対応グレード1
- 最大ゲート駆動電圧：24V
- MOSFETゲートドライバ
- IGBTゲートドライバ
- ハイサイドフローティング電源電圧：1200V
- オン/オフ時間：75ns（最大）
- ロジック入力の最小パルス幅：60ns
代表的な応用回路
BM60212 High- and Low-Side Driver
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BM60212FV-CE2 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP | 299 - 即時 | $758.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2019-08-12
日本