ROHM Semiconductor - ロームセミコンダクタ

650V窒化ガリウムHEMT

ROHMのHEMTがサーバやACアダプタなど幅広い電源システムの効率化と小型化を実現

「ROHMの650V窒化ガリウムHEMT」の画像ROHMのGNP1070TC-ZおよびGNP1150TCA-Z 650V窒化ガリウム（GaN）HEMTは、幅広い電源システムアプリケーションに最適化されています。これらの製品は、窒化ガリウムデバイスを開発するDelta Electronics, Inc.の関連会社であるAncora Semiconductors, Inc.とともに共同開発されました。

世界の電力消費の大半を占める電源やモータの効率向上は、脱炭素社会の実現に向けた大きなハードルになっています。窒化ガリウムやSiCなどの新素材の採用は、電源の効率を向上させる鍵となります。

ROHMは、2022年にゲート耐圧8Vの150V窒化ガリウムHEMTの量産を開始した後、2023年3月に窒化ガリウム性能を最大限に引き出すための制御IC技術を確立しました。今回、ROHMは、より幅広い電源システムにおいて高効率化と小型化に貢献する、市場最高レベルの性能を持つ650V窒化ガリウムHEMTを開発しました。

650 V GaN HEMTs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MODGNP1070TC-ZE2ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD3226 - 即時$1,589.00詳細を表示
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MOGNP1150TCA-ZE2ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO2611 - 即時$969.00詳細を表示
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6UDFNBD2311NVX-LBE2IC GATE DRVR LOW-SIDE 6UDFN3123 - 即時$681.00詳細を表示
ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MODGNP2070TD-ZTRECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD1901 - 即時$1,987.00詳細を表示
刊行： 2023-05-22

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