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ウェビナー - 電力システム用高電圧GaN HEMT (EcoGaN™)
GaN（窒化ガリウム）HEMTにより、設計者は次世代電力処理デバイス開発の大きな一歩を踏み出すことができました。GaNのような非シリコンベースの化合物半導体は、高効率、高信頼性、高周波数、高出力、低消費電力のデバイスを可能にします。Rohm Semiconductorは、ハイパワーGaNFETの GaN HEMTまたはEcoGaNラインに、GaNの高いスイッチング特性と低いオン抵抗を採用しています。
Rohm SemiconductorのUSAテクニカルプロダクトマーケティングマネージャであるKengo Ohmori氏が、GaNが小型・低消費電力デバイスやGaN技術を最適化したICに与える影響について解説し、さらにGaNベースの電力システムの未来と、その他の貴重な洞察やトピックについて説明します。
この1時間のオンラインウェビナーは、2024年10月3日（木）午前11時（日本時間10月4日（金）午前1時）から開催されます。ウェビナーに当日参加できない方も、終了後に録画のリンクを送らせていただきますので、是非ご登録ください。
ご登録はこちらからお願いいたします。 https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog
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