RP-xx06SおよびRxxP06Sシリーズ DC/DC電源

GaNデバイスでは、高いスイッチング電圧、厳しい動作温度および高速スルーレートに対処できる絶縁バリアを備えた絶縁されたハイサイドドライバと絶縁ドライバ電源が必要です。これらの厳しい要求に対応するため、RECOMは最新のGaNドライバに電力を供給するために2つの独立した1WのDC/DCコンバータシリーズを開発しました。

RP-xx06SおよびRxxP06Sシリーズは、ゲート誘電体破壊を引き起こすことなく効率的にGaN HEMTをスイッチングするのに十分な、+6Vの出力電圧を提供します。これらのコンバータの内部トランス設計では、ポットコアを使用して入力巻線と出力巻線を物理的に分離して、最大6.4kV_DCの絶縁を提供し、絶縁障壁が最も厳しい動作条件にも耐えるようにしています。

高絶縁グレードにもかかわらず、業界標準のSIP7ケースに適合し、回路基板上の貴重なスペースを節約します。これらのコンバータは5V、12V、15V、または24Vの入力電圧で入手でき、低絶縁静電容量（<10pF）を特長としています。これらはIEC/EN-60950-1の認定を受け、RoHS 2およびREACHに完全に準拠しています。

より高いノイズとトランジェントを設計に取り入れなければならない特定のGaNアプリケーションでは、RECOMは+9V出力のコンバータも提供しており、ツェナーダイオード回路を介して+6Vと-3Vに分割して負のスイッチングゲート電圧を供給することもできます。信頼性と長寿命のために、RECOMは高品質の有名ブランドコンポーネントのみを設計に使用するので、3年間の保証を提供することができます。

特長		取り付けおよびアプリケーション
GaNドライバアプリケーション向け6V出力 小型サイズでの最大6.4kVDC/秒の絶縁 低絶縁静電容量（10pF最大） UL/IEC/EN62368-1、IEC/EN60950-1認証済み （RxxP06S） UL/IEC60950、IEC/EN60601-1認証済み（RP-xx06S） 応用 GaN HEMTデバイス