Panasonic - パナソニック

パワーCSP MOSFET

Panasonicの先進110nmファイントレンチセルシリコン技術

半導体製品での全世界のリーダーであるPanasonicのパワーCSP MOSFETの画像Panasonicは、FJ3P02100LおよびFK3P02110LシリーズのパワーCSP MOSFETを発表します。 パワーCSP MOSFETシリーズは、独自のパッド設計およびドレインクリップ技術で構成される、パワーマウントCSPパッケージング（PMCP）を特長とします。 これで熱放散を5%改善することができ、同時に従来型のソリューションに対してサイズを80%低減します。 セル技術およびウェハ薄型化製造でのPanasonicの前進は、同一サイズの従来のチップに対して47%低いRDS(on)を達成する110nmのファイントレンチセルを持つシリコンをもたらしました。 この技術を使用することにより、このMOSFETシリーズは消費電力を低減しながら、より高いパワー効率を達成しています。

特長
  • 従来のソリューションに対してサイズを80%低減しながらも、熱放散を5%改善することを可能にする、パワーマウントCSP（PMCP）パッケージ
  • AEC-Q101認定
  • ファイントレンチシリコン技術は、同一サイズの従来のチップに対して、47%低いRDS(on)を提供し、システムの電力消費を低減しながらも、より高い電力効率を達成
  • サイズ：FJ3P02100L：2.0 x 2.0 x 0.33mm、FK3P02110L：1.8 x 1.6 x 0.33mm
  • RDS(on)：FJ3P02100L：9.5mΩ @ VGS=4.5V（標準）、FK3P02110L：12.5mΩ @ VGS=2.5V（標準）
  • ハロゲンフリーおよびRoHS認証、鉛フリーはんだバンプを使用


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刊行： 2013-07-02