PowerTrench® MOSFET

onsemiのT10シリーズ MOSFETは、5mm x 6mmの小型パッケージで、低総ゲート電荷量と改善された回復特性を提供

onsemiのPowerTrench® MOSFETの画像onsemiのPowerTrench MOSFETは、効率と性能において飛躍的な進歩を遂げました。T6/T8からT10への移行のポイントは、オン抵抗とスイッチング性能の大幅な改善ですが、これはエネルギーに敏感な設計にとって非常に重要です。T10シリーズは、5mm x 6mmの小型パッケージで最適なオン抵抗を誇り、低い総ゲート電荷量と改善された回復特性を提供することで、熱として浪費されるエネルギーの低減、信頼性の向上、高周波スイッチングアプリケーションでの性能向上を実現します。

T10 MOSFETは、より高いアバランシェ電流とエネルギー耐量を特長とし、過酷な条件下での堅牢性を保証します。これらの進歩は単なる漸進的なものではなく、より小型で効率的かつ強力な電子機器の実現を可能にする変革的なものです。DC/DCコンバータからモータドライブに至るまで、PowerTrenchテクノロジーはパワーマネージメントソリューションで可能なことの標準を確立してきました。

特長
  • 高周波でのスイッチング損失の低減
  • より優れた熱放散
  • 低RDS(ON)による伝導損失の改善
  • より小型でより高電力密度のパッケージ
  • AEC認定40V~80V T10 MOSFET
  • 前世代比でRspを30~40%低減
  • Qg、Qsw、Qossの2倍減
  • よりソフトなリカバリダイオードとより低いQrr
  • UIS能力が10%向上
応用
  • データセンター
  • DC/DC電力変換段
  • 一般的なアプリケーションで、さまざまな用途に好適

PowerTrench® MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
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刊行: 2024-09-09