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TVSダイオード御社の設計を広範囲の過渡電圧サプレッサで保護しましょう |
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Littelfuse®の過渡電圧サプレッサLittelfuseのTVSダイオードは、半導体部品を高い過渡電圧から保護するために使用します。 これらのデバイスのp-n接合は、通常のダイオードより大きな断面積を有しているため、損傷を受けることなく大電流をグランドに導通することができます。 Littelfuseは、200W～15kWのピーク電力定格および5V～495Vの逆スタンドオフ電圧を備えたTVSダイオードを供給しています。
TVSダイオードとは何ですか、またどのように異なるのですか？ TVSダイオードの定義。TVSダイオードは、センシティブなエレクトロニクスを高い過渡電圧から保護するために設計された電子部品です。 TVSダイオードは、過電圧事象に対しほとんどの他の形式の回路保護デバイスより早く応答でき、種々の面実装およびスルーホール回路基板実装形式で提供されます。 このデバイスは、電圧をあるレベルに制限する機能を有し（「クランピング」デバイスと呼ばれます）、通常のダイオードより大きな断面積のp-n接合を有しているため、損傷を受けることなく大電流をグランドに導通することができます。 TVSダイオードは、送信またはデータラインや電子回路に関連した、落雷、誘導負荷スイッチング、および静電気放電（ESD）により誘導される電気的過大応力に対する保護のために一般に使用されます。 LittelfuseのTVSダイオードは、広範な回路保護アプリケーションに適合しますが、テレコミュニケーションおよび産業用装置、コンピュータ、および民生用電子機器のI/Oインターフェースを保護するために主として設計されました。
他の過渡電圧サプレッション技術およびその差異についての見識を高めるためには、LittelfuseのアプリケーションノートAN9768をご参照ください。 他のダイオード技術との比較：
動作特性による比較：
デバイス構造による比較： ショットキーダイオードは、半導体に金属を接合させて形成します。電気的に、ショットキーダイオードは、多数キャリアにより伝導し、低リーク電流と低い順バイアス電圧（VF）を備え高速応答です。 ショットキーダイオードは、高周波回路に広く使用されます。 ツェナーダイオードは、高ドープのP-N半導体接合により形成します。 ツェナー状態と呼ばれる2つの物理的な効果があります。（ツェナー効果およびアバランシェ効果）。 ツェナー効果は、低い逆電圧がp-n接合に印加される時に発生し、量子効果により導通します。 アバランシェ効果は、5.5Vより大きい逆電圧がp-n接合に印加された時に発生し、その間発生した電子とホールのペアが格子に衝突します。 ツェナー効果に基づくツェナーダイオードは、電子回路において基準電圧源として広く使用されます。 SPAは、シリコン保護アレイ（Silicon Protection Arrays）の略です。 SPAは多ピン構造でパッケージされた、集積化p-n接合、SCR、またはその他のシリコン保護構造のダイオードアレイです。 SPAは、多様な保護が必要な局面に遭遇するテレコミュニケーション、一般エレクトロニクス、およびデジタル民生用市場向けの、ESD、雷、およびEFT保護用の集積化ソリューションとして使用できます。 たとえばSPAは、HDMI、USB、およびEthernetポートのESD保護に使用できます。 お探しの部品は、こちらから！
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