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XHP™ 2 2,300V CoolSiC™ MOSFET
Infineon TechnologiesのMOSFETは、低誘導性の標準化されたパッケージでハーフブリッジトポロジを提供
Infineon TechnologiesのXHP 2 CoolSiC MOSFET 2,300V、1.0mΩモジュールは、低誘導の標準化されたパッケージでハーフブリッジトポロジを提供します。この製品は、堅牢な.XT相互接続技術を活用し、強化された寿命とクラス最高の信頼性を実現しています。また、組み立てを簡素化し、熱的一貫性を向上させるために、熱インターフェース材料（TIM）をあらかじめ塗布した状態で利用することもできます。
特長
- 長期安定性と信頼性がフィールドで実証された2.3kVトレンチゲートCoolSiC MOSFET
- スイッチング損失と導通損失が低く、RDS(ON)は1.0mΩまで低減（+25°C時）
- 低誘導性の標準化されたXHP 2パッケージ
- .XT相互接続技術により、最高の信頼性と長寿命を実現
応用
- エネルギー蓄積システム
- トラクション
- 再生可能エネルギー
- 太陽光発電インバータ
XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - 即時 | $776,300.00 | 詳細を表示 |
| | FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - 即時 | $658,260.00 | 詳細を表示 |
| | FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 3 - 即時 | $526,502.00 | 詳細を表示 |
| | FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - 即時 | $532,232.00 | 詳細を表示 |
更新日： 2026-02-05
刊行： 2026-01-22
日本