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窒化ガリウムパワートランジスタ
InfineonのCoolGaN™は、高効率のノーマリオフデバイスであり、次世代の電力密度を実現
InfineonのCoolGaNトランジスタは、高速なオン/オフ速度、最小限のスイッチング損失、および多様なパッケージオプションを特長としています。厳格な基準を満たしたCoolGaNは、業界標準を大幅に上回り、システム全体の性能を大幅に向上させながら、システムコストを最小限に抑え、使いやすさを向上させます。
特長
- 60V～120Vのeモードトランジスタ
- 両面冷却および底面冷却パッケージオプション
- 逆回復電荷なし
- 逆伝導能力
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- JEDEC規格を超える性能認定
利点
- 卓越した電力密度
- 最高の効率
- 改善された温度管理
- 卓越した信頼性
- BOMコストの削減
- すぐに使えるリファレンスボードで市場投入までの時間を短縮
応用
- オーディオアンプ
- バッテリ駆動ツール
- ドローン
- 太陽光発電
- ロボティクス
- SMPS
- 通信インフラ
- USB-C®アダプタと充電器
GaN Power Transistors
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC090S20S1XTMA1 | 200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC | 0 - 即時 | $954.00 | 詳細を表示 |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | 3137 - 即時 | $785.00 | 詳細を表示 |
| | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | 3807 - 即時 | $785.00 | 詳細を表示 |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | 3423 - 即時 | $411.00 | 詳細を表示 |
|  | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | 4860 - 即時 | $411.00 | 詳細を表示 |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | 2410 - 即時 | $785.00 | 詳細を表示 |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | 7587 - 即時 | $785.00 | 詳細を表示 |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | 2120 - 即時 | $785.00 | 詳細を表示 |
| | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | 3047 - 即時 | $576.00 | 詳細を表示 |
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|  | EVALMTR48V20AGANTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S101 | 3 - 即時 | $23,542.00 | 詳細を表示 |
|  | EVAL7126G100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S10S1 | 1 - 即時 | $23,044.00 | 詳細を表示 |
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|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | 24 - 即時 | $23,542.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2025-07-22
日本