200V OptiMOS™ 6パワーMOSFET

InfineonのOptiMOS 6 200V MOSFETは、室温で42%のR_DS（on）低減、前世代のデバイスと比較して+175℃で53%の低減を実現することにより、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに適切に対応します。Q_rrの低減と静電容量直線性の改善により、スイッチング性能が向上しました。事実上、EMIを損なうことなく、伝導損失とスイッチング損失を低減することができます。この技術は、保護スイッチアプリケーションにおけるMOSFETの電流処理を向上させるため、安全動作領域（SOA）が改善されます。同時に、設計の最適化と生産精度を高めるため、信頼性と性能の高いこの技術は、並列接続に最適な選択肢です。PQFN 3.3×3.3、SuperSO8、D²PAK 3ピン、D²PAK 7ピン、TOリードレス、TO-220など、複数のパッケージオプションが用意されています。従来の技術と比較して、OptiMOS 6は、伝導損失とスイッチング損失の低減、EMI の改善、並列化の必要性の低減、並列化時の電流共有の改善など、性能上の大きな利点を実現します。

D²PAKパッケージのOptiMOS 6パワーMOSFET 200Vを使用したKIT_LGPWR_BOM015電源ボードモジュールは、低電圧駆動（LVD）スケーラブル電源デモボードプラットフォームの電源構成要素です。これは、電源とゲート駆動の相互接続を持つシングルハーフブリッジとして機能し、ハーフブリッジベースの電源トポロジを容易に構築できます。

InfineonのパワーMOSFETファミリOptiMOSを採用したD²PAK、D²PAK-7、およびTOリードレスパッケージの電源ボードは、並列化と熱挙動の面でパワーMOSFETの性能を実証します。