B82804E 500Vトランス

TDK のEP9シリーズ 小型ゲートドライバトランスは、優れた絶縁性、最小限のカップリング容量、高い耐熱性を提供

EPCOSのB82804E 500 Vトランスの画像TDK のB82804E EP9シリーズ 500Vトランスは、IGBTおよびFETゲートドライバ回路専用に設計された既存のE10EMシリーズ 面実装型トランスよりもコンパクトです。システム電圧500Vの要求の厳しいe-モビリティおよび産業用アプリケーションで高性能を発揮するよう設計されたこれらのコンポーネントは、優れた絶縁性、最小限のカップリング容量、および高い耐熱性を提供します。EP9シリーズは、より電気駆動的で持続可能な未来に向けたグリーンな変革を推進します。

EP9シリーズは、SMD Lピン構造のMnZnフェライトコアを採用し、高さわずか11mm、フットプリント13mm x 11mmを実現しています。これらのトランスは、-40℃~+150℃の広い温度範囲で動作し、過酷な条件下でも耐久性を保証します。AEC-Q200 Rev.E規格に準拠し、カップリング容量がわずか2pFで、少なくとも5mmの沿面距離とクリアランスを持つこれらの面実装部品は、一般的に車載アプリケーションやその他の厳しい環境で使用されます。

これらのトランスは、標準動作周波数が100kHz~400kHzで、特定のアプリケーション向けに最適化された巻数比を持つハーフブリッジコンバータやプッシュプルコンバータなどのトポロジをサポートします。製品は、テープ&リール包装で提供され、大量生産環境での組み立てが容易です。

B82804X1サンプルキットには、各バージョンのトランスが6個入っています。

特長
  • 寸法:13mm × 11mm × 11mm(長さ×幅×高さ)
  • 広い温度範囲:-40°C~+150°C
  • 非常に低いカップリング容量:2pF
  • 絶縁特性:クリープとクリアランス ≥5mm(累積、コアフローティング)
  • AEC-Q200 Rev. E認定
応用
  • インバータシステム用IGBT/MOSFETゲートドライバトランス
  • DC/DCコンバータ用補助トランス
更新日: 2025-04-29

B82804E 500 V Transformers

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刊行: 2025-03-06