SiC（シリコンカーバイド）MOSFETおよびダイオード

Diodes IncorporatedのWBG材料は、高い破壊電圧（BV）を持つシリコンよりも、SiCが最大5倍高い電圧（3kV）に耐えられるようになるなど、多くの理由でシリコンよりも優れています。さらに、SiCはシリコンよりも最大10倍高速にスイッチングできるため、スイッチング損失を最小限に抑えられます。熱伝導性が3倍に向上したことで、消費電力も向上し、ヒートシンクも小型化されました。その結果、より優れた熱伝導性と充填密度によって、SiCはGaNよりも高出力アプリケーションに適しています。

SiC MOSFET

シリコンMOSFETではなくSiC MOSFETを選択することには、スイッチング周波数が高くなり、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、トランスなどのコンポーネントのサイズが小さくなるなど、多くの利点があります。

Diodesの1200V SiC MOSFETは、最高の効率と小型の設計が求められる高電圧スイッチング電源アプリケーション向けに設計されています。高出力電流、低オン抵抗、業界標準のTO263-7、TO247、TO247-4パッケージが特長で、モータドライブ、DC/DCコンバータ、ソーラーインバータ、EVバッテリ充電器などのアプリケーションに最適です。

SiCダイオード

DiodesのSiCショットキーダイオードには、650V～1200Vの範囲があります。絶縁型TO220、標準型TO220、およびTO252など、様々なパッケージが用意されており、効率性、堅牢性、市場投入までの時間の短縮を求める設計者に優れた柔軟性を提供します。Diodesの車載グレードの650Vおよび1200V SiCダイオードは、AEC-Q101認定を受けています。