HMC637ガリウム砒素パワーアンプ

航空、産業および試験機器用のAnalog DevicesのMMIC

Analog DevicesのHMC637ガリウム砒素パワーアンプの画像ADIのHMC637はガリウム砒素(GaAs)カスコード分散型パワーアンプです。この装置はモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)であり、疑似形態高電子移動度トランジスタ(pHEMT)を含みます。このパワーアンプは通常動作時に自己バイアスされ、静止電流(IDQ)調整および2次インターセプト(IP2)および3次インターセプト(IP3)最適化のためのオプションのバイアス制御を備えています。このアンプはDC〜7.5GHzで動作し、15.5dBの小信号利得、1dBの利得圧縮で28dBmの出力電力、39dBmの標準出力IP3、および3.5dBの雑音指数を提供し、12Vの電源電圧(VDD)から345mAを必要とします。ゲインフラットネスは±0.5dB(標準)でDCから7.5GHzまで優れているため、HMC637は航空、産業、および試験機器のアプリケーションに最適です。HMC637は、RoHS準拠の5mm x 5mmのリードフレームチップスケールパッケージ(LFCSP)に収納され、内部で50Ωにマッチングされた入出力(I/O)も備えています。

特長
  • P1dB出力パワー:28dBm標準
  • ゲイン:15.5dB標準
  • 出力IP3:39dBm標準
  • VDD = 345mA標準で12Vに自己バイアス
    • IDQ調整のためにVGG1でオプションのバイアス制御
    • IP2およびIP3最適化用VGG2でオプションのバイアス制御
  • 50Ωに整合した入力/出力
  • 32ピン、5mm × 5mm LFCSPパッケージ:25mm²
応用
  • 試験および計測
  • 産業用
  • 航空
  • 基地局

HMC637 Gallium Arsenide Power Amplifiers

画像メーカー品番商品概要ゲイン雑音指数RFタイプ入手可能な数量価格詳細を表示
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刊行: 2019-02-22