HMC311 InGaP HBTゲインブロックアンプ

Analog DevicesのHMC311デバイスは、GaAs、InGaP、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）ゲインブロック、モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）、面実装技術（SMT）、6GHzまでの直流を特長としています。 業界標準のSC70またはSOT-89パッケージ、または3mm × 3mmのクワッドフラットノーリード（QFN）パッケージに収められたこれらのアンプは、カスケード接続可能な50Ωゲイン段として、または最大15dBm、16.5dBm、17dBmの出力電力を備えたHMCミキサの低発振器（LO）ポートの駆動に使用できます。 HMC311デバイスは、14.5dB、15dB、または16dBのゲイン、および31.5dBm、30dBm、または32dBmの出力IP3を提供するとともに、5V電源からわずか56mAまたは54mAを必要とします。 使用されるダーリントンフィードバックペアまたはトポロジは、通常のプロセスの変動に対する低減された感度を実現し、外部バイアス部品の数を最小限に抑えながら、全温度にわたって優れたゲイン安定性をもたらします。