AHV85003およびAHV85043絶縁型SiCゲートドライバチップセット
Allegro MicroSystemsのPower-Thru技術搭載の絶縁ゲートドライバチップセットは、幅広いアプリケーションでディスクリートSiC FETを駆動するために最適化
Allegro MicroSystemsのAHV85003およびAHV85043ゲートドライバチップセットは、要求の厳しいアプリケーションでディスクリートSiC(シリコンカーバイド)FETを駆動するための高度に最適化されたソリューションを提供します。この製品は車載用オンボード充電器(OBC)、ソーラーインバータ、産業用ロボット、データセンター、その他様々な電源装置などのシステム向けに設計されています。推奨される外部トランスと統合することで、このチップセットは、完全な自己給電型の絶縁されたゲートドライブシステムを実現します。この設計は、様々な駆動電圧、ゲート電荷、および絶縁のニーズに対応する、承認済みのサードパーティ製トランスによってサポートされており、多数のアプリケーションやトポロジ向けの多様性を備えています。
このチップセットの設計では、PWM信号とゲートバイアス電源の両方を外部トランスで伝送することにより、システムアーキテクチャを簡素化し、補助バイアス電源やハイサイドブートストラップの必要性を完全に排除しています。絶縁された2次側では、バイポーラ正/負出力バイアスを生成し、それによって電源レールを分割するための余分な回路が排除され、選択可能な安定化正レールと調整可能な負レールを取り込んで、より優れたdv/dt耐性を実現します。こうした統合により、設計が簡素化され、より低いコモンモード静電容量によってEMIが低減されて、どの位置でもフローティングスイッチの駆動が可能になることで、ハーフブリッジやマルチレベルのトポロジにとって理想的な選択肢となります。このチップセットはまた、高速伝搬遅延、効率的な高周波スイッチングのための高いピークソース/シンク電流、高いCMTI、および一連の統合された保護機能を備えており、これらすべてが4mm x 4mmの小型QFN-20パッケージに収められています。
- Power-Thruチップセット:統合されたバイアス電源
- 外部トランスに接続し、PWM信号とバイアス電力の両方を伝送
- ハイサイドブートストラップまたは外部バイアス電源不要
- AEC-Q100グレード1認定
- バイポーラ駆動、選択可能な安定化正レール、および構成可能な負レール
- ミラークランプ(内部)
AHV85003 and AHV85043 Gate-Driver Chipsets
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AHV85003K18ESTR | PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED G | 800 - 即時 | $358.00 | 詳細を表示 | |
![]() | AHV85043K18ESTR | SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED | 1100 - 即時 | $415.00 | 詳細を表示 | |
![]() | APEK85003K18ES-02-MH | EVAL BOARD FOR AHV85003 | 5 - 即時 | $16,535.00 | 詳細を表示 | |
![]() | APEK85003K18ES-04-MH | EVAL BOARD FOR AHV85003 | 1 - 即時 | $24,618.00 | 詳細を表示 |



