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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
在庫あり: 77
単価 : ¥12,309.00000
データシート
IGBT モジュール ハーフブリッジ 600 V 114 A 658 W シャーシマウント MTP
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タシートを参照ください。

VS-50MT060WHTAPBF

DigiKey製品番号
VS-50MT060WHTAPBF-ND
メーカー
メーカー製品番号
VS-50MT060WHTAPBF
商品概要
IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
客先参照品番
詳細な説明
IGBT モジュール ハーフブリッジ 600 V 114 A 658 W シャーシマウント MTP
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
生産中止品
IGBTタイプ
-
構成
ハーフブリッジ
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
600 V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
114 A
電力 - 最大
658 W
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic
3.2V @ 15V、100A
電流 - コレクタ遮断(最大)
400 µA
入力静電容量(Cies) @ Vce
7.1 nF @ 30 V
入力
標準
NTCサーミスタ
なし
動作温度
-40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
12-MTPモジュール
サプライヤデバイスパッケージ
MTP
ベース品番
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